PD - 95320
IRFL9110PbF
HEXFET
功率MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
快速开关
易于并联的
LEAD -FREE
D
V
DSS
= -100V
R
DS （ ON）
= 1.2
G
I
D
= -1.1A
S
描述
国际整流器第三代HEXFETs
为设计人员提供快速的最佳组合
开关，坚固耐用的设备设计，低导通电阻
和成本效益。
采用SOT - 223封装是专为采用表面贴装
气相，红外，或波峰焊技术。其
独特的包装设计，可以很容易地自动拾取和 -
地方与其他SOT或SOIC封装，但有
附加优点的改进的热性能，因为
放大片的散热。功率耗散
grreater比1.25W可以在一个典型的表面安装
应用程序。
SOT-223
绝对最大额定值
参数
I
D
@ TC = 25°C
I
D
@ TC = 100℃
I
DM
P
D
@Tc = 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
连续漏电流， V
GS
@ -10 V
连续漏电流， V
GS
@ -10 V
漏电流脉冲
功耗
功耗（ PCB安装） **
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装） **
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
Soldewring温度，保持10秒
马克斯。
-1.1
-0.69
-8.8
3.1
2.0
0.025
0.017
-/+20
100
-1.1
0.31
-5.5
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到PCB
结到环境。 （ PCB安装） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
40
60
单位
° C / W
**当安装在1 ''正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
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1
05/26/04
IRFL9110PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
-100 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- -0.091 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
–––
-2.0
0.82
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 1.2
––– -4.0
––– –––
––– -100
––– -500
––– -100
––– 100
––– 8.7
––– 2.2
––– 4.1
10 –––
27 –––
15 –––
17
–––
4.0
6.0
200
94
18
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
S
A
nA
V
GS
= -10V ，我
D
= 0.66A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= -50V ，我
D
= 0.66 A
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
=-4.0A
V
DS
=-80V
V
GS
= -10V ，见图。 6和13
V
DD
= -50V
I
D
= -4.0A
R
G
= 24
R
D
= 11
,
参见图。 10
铅之间的6mm （ 0.25英寸）
从包装和中心
模具接触。
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
D
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
nH
G
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
MOSFET符号
––– ––– -1.1
展示
A
G
整体反转
––– ––– -8.8
p-n结二极管。
––– ––– -5.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.1A ，V
GS
= 0V
––– 80 160
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
=-4.0A
––– 0.15 0.30
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
D
S
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD=
-25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 7.7毫亨
R
G
= 25, I
AS
= -4.4A 。 （参见图12）
I
SD
≤
-4.0A ， di / dt的
≤75A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
2
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IRFL9110 ， SiHFL9110
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 100
V
GS
= - 10 V
8.7
2.2
4.1
单身
S
特点
表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
快速开关
易于并联的
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
1.2
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
采用SOT - 223封装是专为采用表面贴装
气相，红外，或波焊工艺。其
独特的包装设计，可以很容易地自动
拾取和放置与其他SOT或SOIC封装，但有
的改进的热性能，因为所添加的优点
用于散热的放大片。功率耗散
大于1.25 W是可能在一个典型的表面安装
应用程序。
SOT-223
G
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
SOT-223
IRFL9110PbF
SiHFL9110-E3
IRFL9110
SiHFL9110
SOT-223
IRFL9110TRPbF
a
SiHFL210T-E3
a
IRFL9110TR
a
SiHFL9110T
a
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
- 100
± 20
- 1.1
- 0.69
- 8.8
0.025
0.017
100
- 1.1
0.31
3.1
2.0
- 5.5
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
I
AR
雪崩电流
c
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 7.7 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 4.4 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 4.4 A， di / dt的
≤
- 75 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91196
S- 81369 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
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1
IRFL9110 ， SiHFL9110
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
60
40
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 0.66 A
b
- 100
-
- 2.0
-
-
-
-
0.82
-
- 0.091
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
1.2
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 0.66 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
200
94
18
-
-
-
10
27
15
17
4.0
6.0
-
-
-
8.7
2.2
4.1
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 4.0 A，V
DS
= - 80 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 50 V，I
D
= - 4.0 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 11
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
G
-
S
-
-
-
-
-
-
-
-
80
0.15
- 1.1
A
- 8.8
- 5.5
160
0.30
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 1.1 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 4.0 ， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91196
S- 81369 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFL9110 ， SiHFL9110
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91196
S- 81369 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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3
IRFL9110 ， SiHFL9110
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
文档编号： 91196
S- 81369 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFL9110 ， SiHFL9110
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
- 10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
V
DD
图。 10A - 开关时间测试电路
t
D（上）
V
GS
10
%
t
r
t
D（关闭）
t
f
90
%
V
DS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
文档编号： 91196
S- 81369 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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5
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