IRFL210 ， SiHFL210
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
符号
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
3.1
2.0
5.0
- 55至+ 150
300
d
单位
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 81 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 0.96 （见图12 ） 。
C.我
SD
≤
3.3 A， di / dt的
≤
70 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
40
60
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
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2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.58 A
b
200
-
2.0
-
-
-
-
0.51
-
0.30
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
1.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 50 V，I
D
= 0.58 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
140
53
15
-
-
-
8.2
17
14
8.9
4.0
6.0
-
-
-
8.2
1.8
4.5
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.3 A，V
DS
= 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 100 V，I
D
= 3.3 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 30
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
G
-
S
文档编号： 91193
S- 81377 -REV 。 A， 30军08
IRFL210 ， SiHFL210
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
150
0.60
0.96
A
7.7
2.0
310
1.4
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 0.96 ，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
1
顶部
V
GS
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
0
150
°
C
25
°
C
10
0
10
-1
10
-1
4.5
V
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
25 °C
10
-2
20
s
脉冲
宽度
V
DS
=
50
V
4
5
6
7
8
9
10
10
-1
91193_01
10
0
10
1
91193_03
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
V
GS ，
栅极 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
I
D
，漏电流（ A）
10
0
V
GS
顶部
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
3.5
I
D
= 3.3 A
3.0
V
GS
= 10
V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
- 60 - 40 - 20
4.5
V
10
-1
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
150 °C
10
-1
10
0
10
1
0
20 40 60
80
100 120 140 160
91193_02
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
91193_04
T
J,
结温（ ° C）
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91193
S- 81377 -REV 。 A， 30军08
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3
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