PD - 95317
IRFL110PbF
HEXFET
功率MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
LEAD -FREE
D
V
DSS
= 100V
R
DS （ ON）
= 0.54
G
S
I
D
= 1.5A
描述
国际整流器第三代HEXFETs
为设计人员提供快速的最佳组合
开关，坚固耐用的设备设计，低导通电阻
和成本效益。
采用SOT - 223封装是专为采用表面贴装
气相，红外，或波峰焊技术。其
独特的包装设计，可以很容易地自动拾取和 -
地方与其他SOT或SOIC封装，但有
附加优点的改进的热性能，因为
放大片的散热。功率耗散
grreater比1.25W可以在一个典型的表面安装
应用程序。
SOT-223
绝对最大额定值
参数
I
D
@ TC = 25°C
I
D
@ TC = 100℃
I
DM
P
D
@Tc = 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
连续漏电流， V
GS
@ 10 V
连续漏电流， V
GS
@ 10 V
漏电流脉冲
功耗
功耗（ PCB安装） **
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装） **
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
Soldewring温度，保持10秒
马克斯。
1.5
0.96
12
3.1
2.0
0.025
0.017
-/+20
150
1.5
0.31
5.5
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到PCB
结到环境。 （ PCB安装） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
40
60
单位
° C / W
**当安装在1 ''正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
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1
05/26/04
IRFL110PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
100
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.63 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
–––
2.0
1.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.9
16
15
9.4
4.0
6.0
180
81
15
0.54
4.0
–––
25
250
100
-100
8.3
2.3
3.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
S
A
nA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.90A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 50V ，我
D
= 0.90A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 5.6A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V ，参照图6和13
V
DD
= 50V
I
D
= 5.6A
R
G
= 24
R
D
= 8.4
,
参见图。 10
铅之间的6mm （ 0.25英寸）
从包装和中心
模具接触。
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
D
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
nH
G
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
MOSFET符号
––– ––– 1.5
展示
A
整体反转
––– ––– 12
p-n结二极管。
––– ––– 2.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.5A ，V
GS
= 0V
––– 100 200
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.6A
––– 0.44 0.88
C
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD=
25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 25毫亨
R
G
= 25, I
AS
= 3.0A （参见图12）
I
SD
≤
5.6A ， di / dt的
≤
75A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
2
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IRFL110 ， SiHFL110
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
8.3
2.3
3.8
单身
D
特点
100
0.54
表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
使用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计，可以很容易地自动
拾取和放置与其他SOT或SOIC封装，但有
的改进的热性能，因为所添加的优点
用于散热的放大片。功率耗散
大于1.25 W是可能在一个典型的表面安装
应用程序。
SOT-223
G
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
SOT-223
IRFL110PbF
SiHFL110-E3
IRFL110
SiHFL110
SOT-223
IRFL110TRPbF
a
SiHFL110T-E3
a
IRFL110TR
a
SiHFL110T
a
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
100
± 20
1.5
0.96
12
0.025
0.017
150
1.5
0.31
3.1
2.0
5.5
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 25 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 3.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.6 A， di / dt的
≤
75 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91192
S- 81361 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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1
IRFL110 ， SiHFL110
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
60
40
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.90 A
b
100
-
2.0
-
-
-
-
1.1
-
0.63
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.54
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 50 V，I
D
= 0.90 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
180
81
15
-
-
-
6.9
16
15
9.4
4.0
6.0
-
-
-
8.3
2.3
3.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.6 A，V
DS
= 80 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 50 V，I
D
= 5.6 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 8.4
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
G
-
S
-
-
-
-
-
100
0.44
1.5
A
12
2.5
200
0.88
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.6 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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文档编号： 91192
S- 81361 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFL110 ， SiHFL110
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91192
S- 81361 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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S- 81361 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFL110 ， SiHFL110
Vishay Siliconix公司
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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S- 81361 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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