PD- 92003A
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
IRFL014N
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.16
表面贴装
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
快速开关
全额定雪崩
D
G
S
I
D
= 1.9A
描述
第五代HEXFET
从国际的MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计， HEXFET
功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
使用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计便于自动拾波
放与其他SOT或SOIC封装，但有
的改进的热性能的附加好处
由于对散热放大选项卡。功耗
的1.0W可以在一个典型的表面安装的应用程序。
SOT-223
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V**
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
漏电流脉冲
功耗（ PCB安装） **
功耗（ PCB安装） *
线性降额因子（ PCB安装） *
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？ *
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
2.7
1.9
1.5
15
2.1
1.0
8.3
± 20
48
1.7
0.1
5.0
-55到+ 150
单位
A
W
W
毫瓦/°C的
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
R
θJA
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） *
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） **
典型值。
90
50
马克斯。
120
60
单位
° C / W
*当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。
**当安装在1平方英寸的铜电路板，用于与其他SMD器件的比较。
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IRFL014N
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
55
–––
–––
2.0
1.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.054
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.0
1.2
3.3
6.6
7.1
12
3.3
190
72
33
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.16
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.9A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.85A
1.0
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V
A
25
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
11
I
D
= 1.7A
1.8
nC
V
DS
= 44V
5.0
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 1.7A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 16Ω ，见图。 10
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
41
64
1.3
A
15
1.0
61
95
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.7A
的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
1.7A ， di / dt的
≤
250A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 8.2mH
R
G
= 25, I
AS
= 3.4A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
2
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IRFL014N
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
I，D雨 - 源极电流（A ）
D
I，D雨来-S环境允许光凭目前 （A ）
D
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
1
1
4 .5V
4.5 V
20 μ S·P ü LS东西TH ID
T
C
= 2 5°C
0.1
1
10
100
0.1
A
0.1
0.1
1
20 μ S·P ü LS东西TH ID
T
J
= 1 50 °C
10
100
A
V·D S，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
V DS ，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
S（上）
，漏到-S环境允许 n个电阻
（N ORM alized ）
I
D
= 1 .7A
I
D
，D RA在-to -S ourc式C光凭目前（ A）
1.5
10
T
J
= 1 5 0 °C
T
J
= 25 °C
1
1.0
0.5
0.1
4
5
6
V
DS
= 25V
2 0 μ S·P UL南东西TH ID
7
8
9
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120
140 160
A
V
的s
，G吃了对-SO urce Voltag E（ V）
T
J
，结牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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IRFL014N
350
300
C，电容（pF ）
250
C
国际空间站
C
OSS
200
150
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）
V
GS
C
国际空间站
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
克
20
I
D
= 1.7 A
V
S
= 44 V
V
S
= 28 V
V
S
= 11 V
16
12
8
100
C
RSS
4
50
0
1
10
100
A
0
0
2
4
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 9
6
8
10
A
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
S.D。
，R EVERSE漏光凭目前 （A ）
P·E·R一件T IO N的牛逼H是A R ê A L IM ITE
B Y形
S（O N）
10
I
D
，D雨电流（A ）
10
100 s
T
J
= 1 50 °C
T
J
= 25 °C
1
1米s
1
10米s
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
的s
= 0V
1.2
A
0.1
1
T
A
= 25 °C
T
J
= 15 0°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
100
A
1.4
V
S.D。
，S ourc E-到-D雨V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFL014N
Q
G
V
DS
V
GS
R
D
10V
V
G
Q
GS
Q
GD
D.U.T.
+
R
G
-
V
DD
10V
收费
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图9A 。
基本栅极电荷波形
电流调节器
同类型D.U.T.
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
50K
12V
.2F
.3F
90%
D.U.T.
V
GS
3mA
+
V
-
DS
10%
V
GS
t
D（上）
I
G
I
D
t
r
t
D（关闭）
t
f
电流采样电阻器
图9b所示。
栅极电荷测试电路
1000
图10B 。
开关时间波形
牛逼赫姆人 ES PON本身（Z
THJ一
)
100
D = 0.5 0
0.20
10
0.10
0 .05
0 .02
0 .01
1
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
P
D M
t
1
t2
星L E P ü LS ê
（T ^ h ER M A L R ES P 2 O NS E）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
1
/t
2
2 。 P·E A K T J = P D M X Z个J A + T A
A
1000
10
100
t
1
，再CTAN gular脉冲 ü比（ SE C）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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