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PD -94835
IRFIZ48NPbF
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
独立包装
高电压隔离= 2.5KVRMS
沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米
全额定雪崩
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.016
D
G
S
I
D
= 40A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻
和外部散热器。这种隔离是相当于使用
一个100微米云母屏障与标准的TO-220的产品。
该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器或
通过单螺杆固定。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
的TO-220 FULLP
AK
绝对最大额定值
马克斯。
40
29
210
54
0.36
± 20
270
32
5.4
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
马克斯。
2.8
65
单位
° C / W
11/13/03
IRFIZ48NPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏水槽容量
分钟。
55
2.0
22
典型值。
0.052
11
78
32
48
4.5
7.5
1900
620
270
12
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.016
V
GS
= 10V ，我
D
= 22A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 32A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
89
I
D
= 32A
20
NC V
DS
= 44V
39
V
GS
= 10V ，参照图6和13
V
DD
= 28V
I
D
= 32A
ns
R
G
= 5.1
R
D
= 0.85Ω ，见图。 10
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
pF
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
= 1.0MHz的
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
94
360
49
A
210
1.3
140
540
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 22A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 32A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
T = 60 ， = 60Hz的
使用IRFZ48N数据和测试条件
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 530μH
R
G
= 25, I
AS
= 32A 。 （参见图12）
I
SD
≤
32A ， di / dt的
≤
250A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
IRFIZ48NPbF
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
我，漏 - 源电流（A ）
D
我，漏 - 源电流（A ）
D
100
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
4.5V
1
1
4.5V
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
C
= 25°C
10
A
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
C
= 175°C
1
10
100
A
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 53A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
T
J
= 175°C
10
1.5
T
J
= 25°C
1.0
1
0.5
0.1
4
5
6
7
V
DS
= 25V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V
GS
= 10V
80 100 120 140 160 180
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRFIZ48NPbF
4000
C，电容（pF ）
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 32A
V
DS
= 44V
V
DS
= 28V
16
12
8
1000
C
RSS
4
0
1
10
100
A
0
0
20
40
测试电路
见图13
60
80
100
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
T
J
= 175°C
10
I
D
，漏电流（ A）
100
10us
100
100us
T
J
= 25°C
10
1ms
1
10ms
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V
GS
= 0V
2.2
A
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 175 ° C
单脉冲
1
10
100
2.6
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRFIZ48NPbF
V
DS
50
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
40
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
10V
30
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
20
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
10
0
25
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
75
100
125
150
175
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10
图10B 。
开关时间波形
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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