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PD - 9.1501A

IRFIZ24N

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

l

独立包装

l

高电压隔离= 2.5KVRMS

l

沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米

l

全额定雪崩

描述

l

D

V

DSS

= 55V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.07

I

D

= 14A

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

该TO- 220 FULLPAK无需额外

绝缘硬件在商业工业

应用程序。所使用的模制化合物提供

具有高隔离能力和低热阻

标签和外部散热器之间。这种隔离

等同于使用具有100微米的云母阻挡

标准的TO- 220产品。该FULLPAK被安装到

使用单个剪辑或通过单螺杆散热器

固定。

的TO-220 FULLPAK

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

14

10

68

29

0.19

± 20

71

10

2.9

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

5.2

65

单位

° C / W

8/25/97

IRFIZ24N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

漏水槽容量

分钟。

55

–––

2.0

4.5

–––

典型值。

–––

0.052

–––

4.9

34

19

27

4.5

7.5

370

140

65

12

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安？

0.07

V

GS

= 10V ，我

D

= 7.8A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 10A

25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

20

I

D

= 10A

5.3

nC

V

DS

= 44V

7.6

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 28V

–––

I

D

= 10A

ns

–––

R

G

= 24

–––

R

D

= 2.6Ω ，参照图10

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

pF

–––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

–––

= 1.0MHz的

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

14

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– –––

68

p-n结二极管。

S

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 7.8A ，V

GS

= 0V

––– 56

83

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 10A

––– 120 180

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

T = 60 ， = 60Hz的

使用IRFZ24N数据和测试条件

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 1.0mH

R

G

= 25, I

AS

= 10A 。（参见图12）

I

SD

≤

图10A中， di / dt的

≤

280A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

IRFIZ24N

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTT OM 4.5V

顶部

100

I，D RA在-to -S ü RC式C ④此T（A ）

D

10

I，D RA在-to -S ü RC式C ④此T（A ）

D

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTT OM 4.5V

顶部

10

4 .5V

2 0μ s PU LSE W ID TH

T

J

= 2 5°C

C

0.1

1

10

1

A

1

0.1

1

20微秒P UL SE W ID

T

J

= 17 5°C

C

10

100

A

100

V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

V·D S，漏极 - 源极V oltage （ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

R

S（O N）

，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE

（N RM一个李泽四）

I

D

= 1 7A

I

D

，，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）

2.5

T

J

= 2 5 ° C

T

J

= 1 7 5 °C

2.0

10

1.5

1.0

0.5

1

4

5

6

7

V

DS

= 2 5 V

2 0 μ S·P ü L SE W ID TH

8

9

10

A

0.0

-60

-40 -20

0

20

40

60

80

V

的s

= 10 V

100 120 140 160 180

A

V

的s

，尕德对S 0 urce V oltage （ V）

T

J

，结牛逼EM perature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRFIZ24N

700

600

C，C的P是C ITA N c个E（ P F）

500

C

国际空间站

C

OS s

400

300

V

的s

，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）

V

GS

C

为s

C

RS s

C

OS s

=

0V ,

F = 1MH

C

gs

+ C

克

, C

ds

SH或TED

C

gd

C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 1 0A

V

DS

= 4 4V

V

DS

= 2 8V

16

12

8

200

C

RSS

4

100

0

1

10

100

A

0

4

8

FO TES T C IR CU IT

SEE图ü 13

12

16

20

A

V

S

，漏 - 源V oltage （ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

I

S.D。

在C R é é V RSE RA ④此T（A ）

OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE

由R

S（O N）

T

J

= 175 °C

T

J

= 25°C

10

I

D

，D RA C语言④此T（A ）

100

10s

10

100 s

1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

V

的s

= 0 V

1.8

A

1

T

C

= 25 °C

T

J

= 17 5°C

S荷兰国际集团乐脉

10

1米s

10米s

100

A

2.0

V

S.D。

，源到-D-雨V oltage （V）的

V

S

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRFIZ24N

15

V

DS

V

GS

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

R

G

10

-

V

DD

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

5

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( ° C)

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.占空比系数D =

t

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

1

热响应

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳