IRFIZ14G ， SiHFIZ14G
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
11
3.1
5.8
单身
D
特点
60
0.20
隔离包
高隔离电压为2.5千伏
RMS
（T = 60秒;
F = 60赫兹）
灌铅爬电距离= 4.8毫米
175 ° C的工作温度
动态的dv / dt额定值
低热阻
符合RoHS指令2002/95 / EC
可用的
RoHS指令*
柔顺
的TO-220 FULLPAK
描述
G
S
摹 S
N沟道MOSFET
第三代功率MOSFET Vishay公司提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻和
外部散热器。这种隔离是相当于使用100
微米云母障碍与标准TO - 220产品。该
FULLPAK被安装到使用单个片段或由带散热片
单个螺钉固定。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
的TO-220 FULLPAK
IRFIZ14GPbF
SiHFIZ14G-E3
IRFIZ14G
SiHFIZ14G
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
8.0
5.7
32
0.18
47
27
4.5
- 55 + 175
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 1.47 mH的，R
g
= 25
,
I
AS
= 8.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
10
A， di / dt的
90
A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
175
°C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90224
S10-2325 -REV 。 C，11- 10年10月
www.vishay.com
1
IRFIZ14G ， SiHFIZ14G
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
65
5.5
单位
° C / W
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏水槽容量
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
=
20
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 4.8 A
b
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V
F = 1.0兆赫，见图。五
F = 1.0 MHz的
I
D
= 10 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
60
-
2.0
-
-
-
-
2.2
-
0.63
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
100
25
250
0.20
-
V
V /°C的
V
nA
A
S
-
-
-
-
-
300
160
29
12
-
-
-
10
50
13
19
4.5
7.5
-
-
-
-
11
3.1
5.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 10 A
R
g
= 24
,
R
D
= 2.7 ，见图。 10
b
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
-
-
-
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
70
0.20
8.0
A
32
1.6
140
0.40
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 8.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
www.vishay.com
2
文档编号： 90224
S10-2325 -REV 。 C，11- 10年10月
IRFIZ14G ， SiHFIZ14G
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 90224
S10-2325 -REV 。 C，11- 10年10月
www.vishay.com
3
IRFIZ14G ， SiHFIZ14G
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
www.vishay.com
4
文档编号： 90224
S10-2325 -REV 。 C，11- 10年10月
IRFIZ14G ， SiHFIZ14G
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
变化
t
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
t
p
V
DS
V
DD
D.U.T.
I
AS
+
-
V
DD
V
DS
10
V
t
p
0.01
Ω
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
www.vishay.com
5
图。 12A - 非钳位感应测试电路
文档编号： 90224
S10-2325 -REV 。 C，11- 10年10月
IRFIZ14G ， SiHFIZ14G
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
11
3.1
5.8
单身
D
特点
60
0.20
隔离包
高隔离电压为2.5千伏
RMS
（T = 60秒;
F = 60赫兹）
灌铅爬电距离= 4.8毫米
175 ° C的工作温度
动态的dv / dt额定值
低热阻
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
的TO-220 FULLPAK
描述
G
S
摹 S
N沟道MOSFET
第三deneration功率MOSFET Vishay公司提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻和
外部散热器。这种隔离是相当于使用100
微米云母障碍与标准TO - 220产品。该
FULLPAK被安装在散热器使用单个剪辑或通过一个
单螺杆固定。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
的TO-220 FULLPAK
IRFIZ14GPbF
SiHFIZ14G-E3
IRFIZ14G
SiHFIZ14G
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
± 20
8.0
5.7
32
0.18
47
27
4.5
- 55 + 175
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 856 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 8.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90224
S-挂起-REV 。 A， 16军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
IRFIZ14G ， SiHFIZ14G
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
65
5.5
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏水槽容量
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
=
±
20
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 4.8 A
b
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V
F = 1.0兆赫，见图。五
F = 1.0 MHz的
I
D
= 10 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
60
-
2.0
-
-
-
-
2.2
-
0.63
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
±
100
25
250
0.20
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
-
-
-
-
-
300
160
29
12
-
-
-
10
50
13
19
4.5
7.5
-
-
-
-
11
3.1
5.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 10 A
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 2.7
Ω,
参见图。 10
b
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
-
-
-
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
70
0.20
8.0
A
32
1.6
140
0.40
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 8.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
www.vishay.com
2
文档编号： 90224
S-挂起-REV 。 A， 16军08
QQ：2881677436 复制
