【PD - 94444开关电源MOSFETIRFIB8N50KHEXFET功率MOSFET应用l开关模】,IC型号IRFIB8N50K,IRFIB8N50K PDF资料,IRFIB8N50K经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94444

开关电源MOSFET

IRFIB8N50K

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

开关模式电源（SMPS ）

l

不间断电源

l

高速电源开关

好处

l

低栅极电荷Qg结果简单

驱动要求

l

改进的门，雪崩和动态

的dv / dt坚固

l

充分界定电容和

雪崩电压和电流

V

DSS

500V

R

DS （ ON）

典型值。

290m

I

D

6.7A

TO-220

FULL- PAK

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

连续漏电流， V

GS

@ 10V

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

I

DM

马克斯。

6.7

4.2

27

45

0.36

±30

17

-55到+ 150

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

c

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝

e

300 （ 1.6毫米从案例）

1.1(10)

牛顿米（磅英寸）

雪崩特性

E

AS

I

AR

E

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

c

重复性雪崩能量

d

典型值。

–––

马克斯。

290

6.7

4.5

单位

mJ

A

mJ

c

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

2.76

65

单位

° C / W

www.irf.com

1

4/21/04

IRFIB8N50K

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

500

–––

3.0

–––

0.59

290

–––

350

5.0

50

250

100

-100

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 4.0A

f

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 500V, V

GS

= 0V

V

DS

= 400V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 30V

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

4.7

–––

17

16

28

8.4

2160

240

27

2600

62

120

–––

89

24

44

–––

pF

ns

nC

V

I

D

= 6.7A

V

DS

= 400V

V

GS

= 10V

I

D

= 6.7A

R

G

= 38

V

GS

= 10V

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

条件

V

DS

= 50V ，我

D

= 4.0A

f

V

DD

= 250V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 400V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至400V

e

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

430

2840

6.7

A

27

2.0

640

4270

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

D

ch

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 6.7A ，V

GS

= 0V

f

T

J

= 25 ° C，I

F

= 6.7A

的di / dt = 100A / μs的

f

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

起始物为

J

= 25℃时，L = 13mH ，R

G

= 25,

I

AS

= 6.7A ，的dv / dt = 17V / ns的（参见图12a ）。

I

SD

≤

6.7A ， di / dt的

≤

330A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C.

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

2

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IRFIB8N50K

1000

顶部

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

100

顶部

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

底部

10

底部

1

5.0V

0.1

5.0V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.001

0.1

1

10

100

0.01

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100.00

3.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 6.7A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

10.00

T J = 150℃

2.5

2.0

1.00

1.5

0.10

T J = 25°C

VDS = 50V

20μs的脉冲宽度

1.0

0.5

0.01

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFIB8N50K

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C GS + Cgd的，C DS短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

12

ID = 6.7A

10

8

VGE （ V）

10000

400V

250V

100V

C，电容（pF ）

西塞

1000

6

4

100

科斯

CRSS

10

2

0

1

10

100

1000

1

0

10

20

30

40

50

60

70

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q G，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100.00

100

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

10.00

T J = 150℃

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

100sec

1.00

TJ = 25°C

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

1

10

100

10msec

VGS = 0V

0.10

0.0

0.5

1.0

1.5

VSD ，源toDrain电压（ V）

1000

10000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFIB8N50K

7.0

6.0

V

DS

V

GS

R

G

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0.0

25

50

75

100

125

150

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.01

0.1

1

10

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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PD - 94444

开关电源MOSFET

IRFIB8N50K

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

开关模式电源（SMPS ）

l

不间断电源

l

高速电源开关

好处

l

低栅极电荷Qg结果简单

驱动要求

l

改进的门，雪崩和动态

的dv / dt坚固

l

充分界定电容和

雪崩电压和电流

V

DSS

500V

R

DS （ ON）

典型值。

290m

I

D

6.7A

TO-220

FULL- PAK

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

连续漏电流， V

GS

@ 10V

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

I

DM

马克斯。

6.7

4.2

27

45

0.36

±30

17

-55到+ 150

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

c

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝

e

300 （ 1.6毫米从案例）

1.1(10)

牛顿米（磅英寸）

雪崩特性

E

AS

I

AR

E

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

c

重复性雪崩能量

d

典型值。

–––

马克斯。

290

6.7

4.5

单位

mJ

A

mJ

c

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

2.76

65

单位

° C / W

www.irf.com

1

4/21/04

IRFIB8N50K

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

500

–––

3.0

–––

0.59

290

–––

350

5.0

50

250

100

-100

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 4.0A

f

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 500V, V

GS

= 0V

V

DS

= 400V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 30V

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

4.7

–––

17

16

28

8.4

2160

240

27

2600

62

120

–––

89

24

44

–––

pF

ns

nC

V

I

D

= 6.7A

V

DS

= 400V

V

GS

= 10V

I

D

= 6.7A

R

G

= 38

V

GS

= 10V

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

条件

V

DS

= 50V ，我

D

= 4.0A

f

V

DD

= 250V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 400V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至400V

e

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

430

2840

6.7

A

27

2.0

640

4270

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

D

ch

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 6.7A ，V

GS

= 0V

f

T

J

= 25 ° C，I

F

= 6.7A

的di / dt = 100A / μs的

f

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

起始物为

J

= 25℃时，L = 13mH ，R

G

= 25,

I

AS

= 6.7A ，的dv / dt = 17V / ns的（参见图12a ）。

I

SD

≤

6.7A ， di / dt的

≤

330A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C.

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

2

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1000

顶部

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

100

顶部

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

底部

10

底部

1

5.0V

0.1

5.0V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.001

0.1

1

10

100

0.01

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100.00

3.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 6.7A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

10.00

T J = 150℃

2.5

2.0

1.00

1.5

0.10

T J = 25°C

VDS = 50V

20μs的脉冲宽度

1.0

0.5

0.01

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C GS + Cgd的，C DS短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

12

ID = 6.7A

10

8

VGE （ V）

10000

400V

250V

100V

C，电容（pF ）

西塞

1000

6

4

100

科斯

CRSS

10

2

0

1

10

100

1000

1

0

10

20

30

40

50

60

70

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q G，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100.00

100

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

10.00

T J = 150℃

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

100sec

1.00

TJ = 25°C

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

1

10

100

10msec

VGS = 0V

0.10

0.0

0.5

1.0

1.5

VSD ，源toDrain电压（ V）

1000

10000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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7.0

6.0

V

DS

V

GS

R

G

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0.0

25

50

75

100

125

150

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.01

0.1

1

10

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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