PD - 94577
IRFI9610G
l
l
l
l
l
l
独立包装
高电压隔离= 2.5KVRMS
沉铅爬电DIST = 4.8毫米
P沟道
动态的dv / dt额定值
低热阻
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= -200V
R
DS （ ON）
= 3.0
G
I
D
= -2.0A
S
描述
国际整流器公司第三代HEXFETs提供了设计者的
快速切换的最佳组合，加固装置的设计，低导通电阻和
国际整流器成本effectiveness.Third代HEXFETs提供
设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
在TO-220 FULLPAK省去了在commercial-附加的绝缘硬件
工业应用。所使用的模制化合物提供了一种高隔离能力
和标签与外部散热片之间的低热阻。这种隔离是
相当于使用与标准的TO-220的产品100微米云母屏障。该FULLPAK
被安装到使用单个剪辑的散热器或者通过单个螺钉固定。
TO- 220全白
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -10V
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
-2.0
-1.3
-8.0
27
0.22
± 20
100
-2.0
2.7
-11
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
马克斯。
4.6
65
单位
° C / W
10/28/02
IRFI9610G
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-200
-2.0
0.7
典型值。
-0.22
12
17
19
15
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
3.0
V
GS
= -10V ，我
D
= -1.2A
-4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
S
V
DS
= -50V ，我
D
= -1.2A
-100
V
DS
= -200V, V
GS
= 0V
A
-500
V
DS
= -160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
13
I
D
= -2.0A
3.2
NC V
DS
= -160V
7.3
V
GS
= -10V ，见图。 6和13
V
DD
= -100V
I
D
= -2.0A
ns
R
G
= 24
V
GS
= -10V ，见图。 10
D
铅之间，
4.5
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5
而中心的模具接触
S
180
V
GS
= 0V
66
pF
V
DS
= -25V
12
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
-2.0
展示
A
G
整体反转
-8.0
p-n结二极管。
S
-5.8
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -2.0A ，V
GS
= 0V
130 200
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.0A
?????? 700 1050 NC的di / dt = -100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
起始物为
J
= 25℃时，L = 51mH
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
-2.0A ， di / dt的
≤
-250A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
R
G
= 25, I
AS
= -2.0A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
T = 60 ， F = 60赫兹。
IRFI9610G ， SiHFI9610G
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 200
V
GS
= - 10 V
13
3.2
7.3
单身
S
特点
隔离包
高隔离电压为2.5千伏
RMS
（T = 60秒;
F = 60赫兹）
灌铅爬电距离= 4.8毫米
P沟道
动态的dv / dt额定值
低热阻
铅（Pb） ，免费提供
可用的
3.0
RoHS指令*
柔顺
的TO-220 FULLPAK
描述
G
摹 S
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻和
外部散热器。这种隔离是相当于使用100
微米云母障碍与标准TO - 220产品。该
FULLPAK被安装到使用单个片段或由带散热片
单个螺钉固定。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
的TO-220 FULLPAK
IRFI9640GPbF
SiHFI9640G-E3
IRFI9640G
SiHFI9640G
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
- 200
± 20
- 2.0
- 1.3
- 8.0
0.22
100
- 2.0
2.7
27
- 11
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 51 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 2.0 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 2.0 A ， di / dt的
≤
- 250 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91165
S-挂起-REV 。 A， 16军08
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1
WORK -IN -PROGRESS
IRFI9610G ， SiHFI9610G
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
65
4.6
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 1.2 A
b
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 1.2 A
b
- 200
-
- 2.0
-
-
-
-
0.7
-
- 0.22
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
3.0
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
180
66
12
-
-
-
12
17
19
15
4.5
7.5
-
-
-
13
3.2
7.3
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 2.0 A，V
DS
= - 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 100 V，I
D
= - 2.0 A,
R
G
= 24
Ω
,
V
GS
= - 10 V,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
130
700
- 2.0
A
- 8.0
- 5.8
200
1050
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 2.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 2.0 A ， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91165
S-挂起-REV 。 A， 16军08
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