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PD - 9.1387B
初步
先进的工艺技术
l
独立包装
l
高电压隔离= 2.5KVRMS
l
沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米
l
全额定雪崩
描述
l
IRFI3710
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 100V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.025
I
D
= 32A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置,用于使用
在各种各样的应用中。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业
应用程序。所使用的模制化合物提供
具有高隔离能力和低热阻
标签和外部散热器之间。这种隔离
等同于使用具有100微米的云母阻挡
标准的TO- 220产品。该FULLPAK被安装到
使用单个剪辑或通过单螺杆散热器
固定。
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
32
23
180
63
0.42
± 20
530
28
6.3
5.0
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅在( 1.1N m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
2.4
65
单位
° C / W
3/16/98
IRFI3710
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏水槽容量
分钟。
100
–––
–––
2.0
20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
59
58
48
4.5
7.5
3000
640
330
12
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安?
0.025
V
GS
= 10V ,我
D
= 16A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 28A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
190
I
D
= 28A
26
NC V
DS
= 80V
82
V
GS
= 10V ,参照图6和13
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 28A
ns
–––
R
G
= 2.5
–––
R
D
= 1.7Ω ,参照图10
铅之间,
–––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
–––
而中心的模具接触
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
pF
–––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
–––
= 1.0MHz的
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
32
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 180
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 16A ,V
GS
= 0V
––– 210 320
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 28A
––– 1.7 2.6
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
T = 60 , = 60Hz的
使用IRF3710数据和测试条件
V
DD
= 25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 1.4mH
R
G
= 25, I
AS
= 28A 。 (参见图11 )
I
SD
≤28A,
的di / dt
460A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
175°C
IRFI3710
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
I,D雨来-S环境允许光凭目前 (A )
D
100
I,D雨来-S环境允许光凭目前 (A )
D
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
10
4.5V
1
0.1
1
20μ S·P ü LS东西TH ID
T
C
= 25°C
10
100
A
1
0.1
20μ S·P ü LS东西TH ID
T
C
= 175°C
1
10
A
100
V·D S,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
V·D S,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
S(上)
,D雨来-S环境允许 n个R esistance
(N ORM alized )
I
D
= 46A
I
D
,D RA在-to -S URC式C urren T(A )
2.5
T
J
= 2 5 °C
100
2.0
T
J
= 1 7 5 °C
1.5
10
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= 50V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10V
100 120 140 160 180
A
V
的s
,G一德以诚-S ü RC è V LTA克E( V)
T
J
,结牛逼EM perature ( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRFI3710
6000
5000
V
的s
,G吃了对-S环境允许的V oltage ( V)
V
GS
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
gs
+ C
gd
, C
ds
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 28 A
V
S
= 80V
V
S
= 50V
V
S
= 20V
16
C,C apacitanc E( pF)的
C
为s
4000
12
3000
C
OSS
2000
8
C
RS s
1000
4
0
1
10
100
A
0
0
40
80
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 13
120
160
200
A
V
S
,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
Q
G
,共有摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
,R EVERSE 雨光凭目前 (A )
P·E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE
B Y形
S(上)
I
D
,D雨光凭目前 (A )
100
10 s
100
T
J
= 17 5°C
T
J
= 25°C
10
100 s
10
1米s
10米s
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0V
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
S英格尔P ulse
10
100
2.0
A
1000
V
S.D。
,S环境允许的模 - 数雨V oltage (Ⅴ)
V
S
,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRFI3710
35
V
DS
30
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
I
D
,漏电流( A)
25
-
V
DD
20
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
15
10
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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