【PD - 9.1611A初步先进的工艺技术l独立包装l高电压隔离= 2.5KVRMSl沉铅爬DIST】,IC型号IRFI1310N,IRFI1310N PDF资料,IRFI1310N经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 9.1611A

初步

先进的工艺技术

l

独立包装

l

高电压隔离= 2.5KVRMS

l

沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米

l

全额定雪崩

描述

l

IRFI1310N

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= 100V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.036

I

D

= 24A

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

该TO- 220 FULLPAK无需额外

绝缘硬件在商业工业

应用程序。所使用的模制化合物提供

具有高隔离能力和低热阻

标签和外部散热器之间。这种隔离

等同于使用具有100微米的云母阻挡

标准的TO- 220产品。该FULLPAK被安装到

使用单个剪辑或通过单螺杆散热器

固定。

的TO-220 FULLPAK

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

d

v

/d

t

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

24

17

140

56

0.37

± 20

420

22

5.6

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境

典型值。

–––

–––

马克斯。

2.7

65

单位

° C / W

3/16/98

IRFI1310N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

漏水槽容量

分钟。

100

–––

–––

2.0

14

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.11

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

11

56

45

40

4.5

7.5

1900

450

230

12

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安？

0.036

V

GS

= 10V ，我

D

= 13A

4.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 22A

25

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

120

I

D

= 22A

15

NC V

DS

= 80V

58

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 22A

ns

–––

R

G

= 3.6

–––

R

D

= 2.9Ω ，参照图10

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

pF

–––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

–––

= 1.0MHz的

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

24

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 140

p-n结二极管。

S

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 13A ，V

GS

= 0V

––– 180 270

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 22A

––– 1.2 1.8

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

T = 60 ， = 60Hz的

使用IRF1310N数据和测试条件

起始物为

J

= 25℃时，L = 1.0mH

R

G

= 25, I

AS

= 22A 。（参见图12）

I

SD

≤

图22A ， di / dt的

≤

180A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

IRFI1310N

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

10

10

4.5V

4.5V

大于20us脉宽

T

J

= 25

o

C

1

10

100

1

0.1

1

0.1

大于20us脉宽

T

J

= 175

o

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 36A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

100

T

J

= 25

o

C

T

J

= 175

o

C

2.0

1.5

10

1.0

0.5

1

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

o

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRFI1310N

3500

3000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 22A

V

DS

= 80V

V

DS

= 50V

V

DS

= 20V

16

C，电容（pF ）

2500

西塞

2000

12

1500

8

1000

科斯

CRSS

4

500

0

1

0

10

100

0

20

40

60

测试电路

见图13

80

100

120

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

D

，漏电流（ A）

100

100

10us

10

100us

10

1ms

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1

1

T

C

= 25

o

C

T

J

= 175

o

C

单脉冲

10

10ms

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRFI1310N

25

V

DS

20

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

-

V

DD

15

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

10

图10A 。

开关时间测试电路

5

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.01

0.1

1

10

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

0.0001

0.001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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2024

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