PD - 9.1373A
IRFI1010N
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
独立包装
高电压隔离= 2.5KVRMS
沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.012
G
I
D
= 49A
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻
和外部散热器。这种隔离是相当于使用
一个100微米云母屏障与标准的TO-220的产品。
该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器或
通过单螺杆固定。
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
49
35
290
58
0.38
± 20
360
43
5.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
2.6
65
单位
° C / W
8/25/97
IRFI1010N
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
顶部
1000
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
100
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
顶部
100
4 .5V
20微秒P UL SE W ID
T
C
= 17 5°C
0.1
1
10
100
4.5 V
10
0.1
1
2 0μ s PU LSE W ID TH
T
C
= 2 5°C
10
A
10
A
100
V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V·D S，漏极 - 源极V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SIS TA 权证
（N RM一个利兹E D ）
I
D
= 72 A
I
D
， ，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）
2.5
T
J
= 2 5 ° C
100
T
J
= 1 7 5 ° C
2.0
1.5
10
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= 2 5 V
2 0 μ S·P ü L SE W ID TH
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，尕德对S 0 urce V oltage （ V）
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRFI1010N
5000
4000
3000
C
OS s
2000
V
的s
，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）
V
GS
C
为s
C
RS s
C
是S·C
SS
= 0 V,
F = 1M ^ h
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH RTE
= C
gd
= C
ds
+ C
克
20
I
D
= 4 3A
V
DS
= 4 4V
V
DS
= 2 8V
16
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
12
8
C
RS s
1000
4
0
1
10
100
A
0
0
20
40
60
FO TES T C IR CU IT
SEE图ü 13
80
100
120
140
A
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
，R ê已经RS E D RA C语言④此T（A ）
OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE
由R
S（O N）
10 s
100
100 s
100
T
J
= 17 5°C
T
J
= 25°C
I
D
，D RA C语言④此T（A ）
1米s
10
10米s
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
的s
= 0V
2.4
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐脉
10
100
A
2.8
V
S.D。
，S环境允许到漏极电压（ V）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
PD - 9.1373A
IRFI1010N
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
独立包装
高电压隔离= 2.5KVRMS
沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.012
G
I
D
= 49A
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻
和外部散热器。这种隔离是相当于使用
一个100微米云母屏障与标准的TO-220的产品。
该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器或
通过单螺杆固定。
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
49
35
290
58
0.38
± 20
360
43
5.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
2.6
65
单位
° C / W
8/25/97
IRFI1010N
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
顶部
1000
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
100
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
顶部
100
4 .5V
20微秒P UL SE W ID
T
C
= 17 5°C
0.1
1
10
100
4.5 V
10
0.1
1
2 0μ s PU LSE W ID TH
T
C
= 2 5°C
10
A
10
A
100
V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V·D S，漏极 - 源极V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SIS TA 权证
（N RM一个利兹E D ）
I
D
= 72 A
I
D
， ，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）
2.5
T
J
= 2 5 ° C
100
T
J
= 1 7 5 ° C
2.0
1.5
10
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= 2 5 V
2 0 μ S·P ü L SE W ID TH
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，尕德对S 0 urce V oltage （ V）
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRFI1010N
5000
4000
3000
C
OS s
2000
V
的s
，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）
V
GS
C
为s
C
RS s
C
是S·C
SS
= 0 V,
F = 1M ^ h
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH RTE
= C
gd
= C
ds
+ C
克
20
I
D
= 4 3A
V
DS
= 4 4V
V
DS
= 2 8V
16
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
12
8
C
RS s
1000
4
0
1
10
100
A
0
0
20
40
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FO TES T C IR CU IT
SEE图ü 13
80
100
120
140
A
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
，R ê已经RS E D RA C语言④此T（A ）
OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE
由R
S（O N）
10 s
100
100 s
100
T
J
= 17 5°C
T
J
= 25°C
I
D
，D RA C语言④此T（A ）
1米s
10
10米s
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
的s
= 0V
2.4
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐脉
10
100
A
2.8
V
S.D。
，S环境允许到漏极电压（ V）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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