IRFHM792TRPbF/IRFHM792TR2PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΔΒV
DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。
100
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
3.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.11
164
3.0
-8.2
–––
–––
–––
–––
–––
4.2
0.7
0.3
1.3
1.9
1.6
6.7
1.6
3.4
4.7
5.2
2.6
251
31
13
MAX 。单位
–––
–––
195
4.0
–––
20
250
100
-100
–––
6.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1.0毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 2.9A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 10μA
V
e
毫伏/°C的
μA
mA
nA
S
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 50V ，我
D
= 2.9A
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V
I
D
= 2.9A
nC
nC
Ω
ns
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 2.9A
R
G
=1.8Ω
V
GS
= 0V
pF
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
马克斯。
10.2
2.9
单位
mJ
A
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
分钟。
–––
–––
–––
–––
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
典型值。
–––
–––
–––
15
MAX 。单位
3.4
条件
MOSFET符号
D
h
A
V
ns
14
1.3
23
展示
整体反转
G
S
–––
45
68
nC
时间是由寄生电感为主
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 2.9A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.9A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 500A / μs的
e
e
热阻
R
θJC
（底部）
R
θJC
（ TOP）
R
θJA
R
θJA
(<10s)
f
结到外壳
f
结到外壳
参数
g
结到环境
g
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
–––
马克斯。
12
85
55
38
单位
° C / W
2
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IRFHM792TRPbF/IRFHM792TR2PbF
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.3V
4.0V
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.3V
4.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
1
1
4.0V
0.1
4.0V
≤
60μs
脉冲宽度TJ = 25℃
0.01
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
≤
60μs
脉冲宽度TJ = 150℃
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
100
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
ID = 2.9A
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
T J = 150℃
1
T J = 25°C
VDS = 50V
≤60μs
脉冲宽度
0.1
2
4
6
8
10
12
14
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12
10
8
6
4
2
0
ID = 2.9A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
1000
C，电容（pF ）
西塞
100
科斯
CRSS
10
1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
1
2
3
4
5
6
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
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3
IRFHM792TRPbF/IRFHM792TR2PbF
100
100
运行在有限的BY RDS本领域（上）
ISD ，反向漏电流（ A）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
100μsec
T J = 150℃
1
TJ = 25°C
1
受
引线键合
1msec
10msec
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源极到漏极电压（V ）
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
0.10
1
DC
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
5.2
4.4
4
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
4.0
受引线键合
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
4.8
3.5
3.6
3.2
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
25
50
75
100
125
150
T C ，外壳温度（ ° C）
3.0
2.5
ID = 10μA
ID = 25μA
2.0
ID = 250μA
ID = 1.0毫安
1.5
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
案例（下）温度
100
热响应（Z thJC ）° C / W
图10 。
阈值电压与温度的关系
10
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
1
0.1
单脉冲
（热反应）
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（底部）
4
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IRFHM792TRPbF/IRFHM792TR2PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
Ω)
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
400
350
300
250
200
150
T J = 25°C
100
5
10
15
20
T J = 125°C
ID = 2.9A
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
开始T J ，结温（ ° C）
ID
顶部
0.43A
0.98A
BOTTOM 2.90A
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图12 。
导通电阻比。栅极电压
图13 。
最大雪崩能量与漏电流
V
（ BR ） DSS
15V
tp
VDS
L
司机
RG
20V
D.U.T
IAS
tp
+
V
- DD
A
I
AS
0.01
Ω
图14A 。
非钳位感应测试电路
图14B 。
非钳位感应波形
V
DS
V
GS
R
G
V10V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1
R
D
90%
D.U.T.
+
V
DS
-
V
DD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图15A 。
开关时间测试电路
图15B 。
开关时间波形
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5
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