IRFH7914PbF
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
77
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.022
7.5
11.2
1.8
-6.08
–––
–––
–––
–––
–––
8.3
2.1
1.0
2.8
2.4
3.8
4.8
1.3
11
11
12
4.6
1160
220
100
–––
–––
8.7
13
2.35
–––
1.0
150
100
-100
–––
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nC
nC
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 11A
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
V
GS
= 4.5V ，我
D
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
m
V
毫伏/°C的
A
nA
S
e
= 11A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V ，我
D
= 11A
参见图17 & 18
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
ns
I
D
= 11A
R
G
=1.8
见图15
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
马克斯。
17
11
单位
mJ
A
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
9.5
3.9
A
110
1.0
21
14
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11A ，V
DD
= 15V
的di / dt = 200A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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IRFH7914PbF
1000
1000
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
顶部
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
100
顶部
底部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
10
10
1
2.3V
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
2.3V
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
2.0
ID = 14A
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
1.5
（归一化）
10
TJ = 150℃
T J = 25°C
1.0
1
VDS = 15V
≤
在60μs脉冲宽度
1
2
3
4
5
6
0.1
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFH7914PbF
16
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
2.5
14
12
ID ，漏电流（ A）
2.0
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T A ，环境温度（ ° C）
1.5
ID = 25μA
1.0
0.5
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
100
热响应（Z thJA ）° C / W
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
A
τ
2
τ
3
τ
4
τ
4
τ
A
RI（ ° C / W）
2.0021
6.0077
15.5002
16.4970
0.000245
0.014521
0.7719
38.3
τi
（秒）
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.1
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja + T A
10
100
1000
0.01
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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