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PD - 97427A
IRFH7911PbF
HEXFET
功率MOSFET
V
DS
R
DS （ ON） MAX
(@V
GS
= 10V)
Q1
30
8.6
8.3
13
Q2
30
3.0
34
28
V
m:
nC
A
双PQFN 5X6毫米
Q
G（典型值）
I
D
(@T
A
= 25°C)
应用
控制和同步MOSFET的降压转换器
好处
特点和优点
特点
控制和同步FET在一个封装
低电荷MOSFET控制（ NC 8.3典型值）
低R
DSON
同步MOSFET （ < 3.0毫欧）
100 ％通过Rg测试
薄型（ ≤ 0.9毫米）
增加功率密度
（50 ％对2 PQFN 5×6 ）
低开关损耗
结果中较低的传导损耗
提高可靠性
增加功率密度
容易制造
环境友好
提高可靠性
记
兼容现有的表面贴装技术
不含铅，无溴，无卤素RoHS标准
MSL2 ，工业资质
订购零件NUM BER
IRFH7911TRPBF
IRFH7911TR2PBF
套餐类型
PQFN 5× 6毫米
PQFN 5× 6毫米
标准包装
形式
QUANTITY
磁带和卷轴
4000
磁带和卷轴
400
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
c
功耗
功耗
线性降额因子
g
工作结
存储温度范围
13
10
100
2.4
1.5
0.019
-55到+ 150
Q1最大。
30
± 20
Q2最大。
单位
V
28
23
230
3.4
2.2
0.027
W / ℃，
°C
W
A
热阻
R
θJC
R
θJA
参数
结到外壳
f
结到环境
g
Q1最大。
7.7
53
Q2最大。
2.5
37
单位
° C / W
www.irf.com
1
1/12/10
IRFH7911PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
BV
DSS
ΔΒV
DSS
/ΔT
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
Q1&Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
Q1&Q2
Q1
Q2
Q1&Q2
Q1&Q2
Q1&Q2
Q1&Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
分钟。
30
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
17
106
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.021
0.022
7.2
11.1
2.4
3.4
–––
-6.8
-6.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.3
34
2.0
7.9
1.0
3.6
3.2
11
2.1
12
4.2
15
5.0
19
1.8
0.7
12
22
15
35
12
28
5.9
14
1060
4450
230
850
110
440
马克斯。
–––
–––
–––
8.6
14.5
3.0
4.0
2.35
–––
–––
1.0
150
100
-100
–––
–––
12
51
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
20
13
24
马克斯。
3.0
3.0
100
230
1.0
1.0
20
29
20
36
条件
单位
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
毫欧V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V ，我
D
= 26A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 21A
Q1 ： V
DS
= V
GS
, I
D
= 25μA
V
毫伏/°C， 2： V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
μA
nA
S
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V ，我
D
= 10A
V
DS
= 15V ，我
D
= 21A
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
e
e
e
e
nC
Q1
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
Q2
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 21A
nC
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
Ω
Q1
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 10A
R
G
=1.8Ω
Q2
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 21A
R
G
=1.8Ω
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz的
ns
pF
雪崩特性
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1最大。
12
10
Q2最大。
32
21
单位
mJ
A
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
单位
条件
A
MOSFET符号
展示
整体反转
A
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10A ，V
GS
= 0V
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 21A ，V
GS
= 0V
NS Q1牛逼
J
= 25 ° C，I
F
= 10A,
V
DD
= 15V ，的di / dt = 300A / μs的
Q2牛逼
J
= 25 ° C，I
F
= 21A,
nC
V
DD
= 15V ，的di / dt = 280A / μs的
反向恢复时间
反向恢复电荷
2
www.irf.com
e
e
e
e
典型特征
1000
IRFH7911PbF
1000
Q1 - 控制用FET
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
Q2 - 同步FET
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
底部
10
底部
1
2.3V
0.1
1
2.3V
0.1
≤60μs
脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0.01
0.1
1
≤60μs
脉冲宽度
TJ = 25°C
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
1000
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
≤60μs
脉冲宽度
TJ = 150℃
顶部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
顶部
100
底部
10
10
2.3V
1
2.3V
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
≤60μs
脉冲宽度
TJ = 150℃
1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图3 。
典型的输出特性
1000
1000
图4 。
典型的输出特性
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
TJ = 150℃
10
10
TJ = 150℃
1
TJ = 25°C
VDS = 15V
≤60μs
脉冲宽度
1
TJ = 25°C
VDS = 15V
≤60μs
脉冲宽度
0.1
6
1
2
3
4
0.1
2
3
4
5
图5 。
典型的传输特性
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图6 。
典型的传输特性
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
www.irf.com
3
IRFH7911PbF
Q1 - 控制用FET
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
典型特征
Q2 - 同步FET
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
C，电容（pF ）
1000
西塞
科斯
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
CRSS
100
CRSS
1000
10
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
图7 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图8 。
典型的电容与漏 - 源极电压
14
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
ID = 10A
VDS = 24V
12
10
8
6
4
2
0
ID = 21A
VDS = 15V
VDS = 24V
VDS = 15V
5
10
15
20
25
0
20
40
60
80
100
QG ，总栅极电荷（ NC）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
图10 。
典型栅极电荷与栅极 - 源
电压
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100μsec
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100μsec
1msec
100
100
10
1msec
10msec
10
10msec
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1
10
100
0.01
0.01
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
最大安全工作区
图12 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
典型特征
Q1 - 控制用FET
2.0
IRFH7911PbF
Q2 - 同步FET
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
VGS = 10V
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 12A
ID = 26A
VGS = 10V
1.5
1.5
（归一化）
1.0
1.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
图13 。
归一化的导通电阻与温度的关系
1000
TJ ，结温（ ° C）
图14 。
归一化的导通电阻与温度的关系
1000
TJ ，结温（ ° C）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
TJ = 150℃
10
ISD ，反向漏电流（ A）
100
TJ = 150℃
10
1.00
TJ = 25°C
1.00
TJ = 25°C
VGS = 0V
VGS = 0V
0.10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图15 。
典型的源漏二极管正向电压
m
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（
Ω)
25
图16 。
典型的源漏二极管正向电压
m
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（
Ω)
12
ID = 13A
20
ID = 26A
10
8
15
TJ = 125°C
10
6
TJ = 125°C
4
TJ = 25°C
5
2
4
6
8
10
12
14
16
TJ = 25°C
2
2
4
6
8
10
12
14
16
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图17 。
典型导通电阻vs.Gate电压
图18 。
典型导通电阻vs.Gate电压
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5
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IW4516BN
IDT7132SA35C
IS61VPD25636A-250B2I
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IDT7134LA55PI
IL611-2E
IRKLF71-08DJ
IDT72265LA10PF
IDT49C403AG
IRKH106/08S90
IDT72V2111L15PF
IRF530PBF
IDT54FCT245PYB
IDT7205L65SO
IDT54FCT162543TPVB
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IDT74FCT646DTD
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