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PD -96276

IRFH5301PbF

HEXFET

功率MOSFET

V

DS

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 10V)

30

1.85

37

1.5

100

V

m

nC

A

PQFN 5X6毫米

Q

G（典型值）

R

G（典型值）

I

D

(@T

C（下）

= 25°C)

h

应用

的OR-ing MOSFET的12V （典型值）总线浪涌电流

MOSFET同步降压型转换器

电池供电的直流电动机逆变器MOSFET

特点和优点

特点

好处

低导通电阻（ <1.85mΩ ）

低热阻的PCB （ <1.1 ° C / W）

100 ％通过Rg测试

薄型（ <0.9毫米）

工业标准引脚

兼容现有的表面贴装技术

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

MSL1 ，工业资质

更低的传导损耗

增加功率密度

提高可靠性

结果增加了功率密度

多厂商兼容性

容易制造

环境友好

提高可靠性

订购型号

IRFH5301TRPBF

IRFH5301TR2PBF

套餐类型

PQFN 5× 6毫米

标准包装

形式

QUANTITY

磁带和卷轴

4000

磁带和卷轴

400

记

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

D

@ T

C（下）

= 25°C

I

D

@ T

C（下）

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C（下）

= 25°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

马克斯。

30

± 20

35

28

单位

V

g

功耗

g

c

h

100

h

100

400

3.6

110

0.029

-55到+ 150

A

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

g

存储温度范围

笔记

通过

是第8页

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1

11/18/09

IRFH5301PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

分钟。

30

–––

1.35

–––

218

–––

典型值。

–––

0.02

1.55

2.4

1.80

-6.9

–––

77

37

9.8

5

12

10

17

22

1.5

21

78

22

23

5114

1017

406

MAX 。单位

–––

1.85

2.9

2.35

–––

5.0

150

100

-100

–––

56

–––

2.3

–––

典型值。

–––

pF

nC

ns

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

m

V

GS

= 10V ，我

D

= 50A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 50A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 100A

毫伏/°C的

A

nA

S

nC

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

e

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 15V ，我

D

= 50A

V

GS

= 10V, V

DS

= 15V ，我

D

= 50A

V

DS

= 15V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 50A

见Fig.6,17 & 18

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DD

= 15V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 15A

R

G

=1.0

见图15

V

GS

= 0V

V

DS

= 15V

= 1.0MHz的

马克斯。

150

50

单位

mJ

A

nC

雪崩特性

E

AS

I

AR

d

分钟。

–––

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

典型值。

–––

24

53

MAX 。单位

100

A

400

1.0

36

80

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 50A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 50A ，V

DD

= 15V

的di / dt = 300A / μs的

e

时间是由寄生电感为主

热阻

R

θJC

（底部）

R

θJC

（ TOP）

R

θJA

R

θJA

(<10s)

结到外壳

结到环境

f

参数

g

典型值。

–––

马克斯。

1.1

15

35

22

单位

° C / W

2

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IRFH5301PbF

1000

顶部

VGS

10V

4.50V

4.00V

3.50V

3.25V

3.00V

2.75V

2.50V

1000

顶部

VGS

10V

4.50V

4.00V

3.50V

3.25V

3.00V

2.75V

2.50V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

2.5V

1

2.5V

≤

60s

脉冲宽度

0.1

1

TJ = 25°C

≤

60s

脉冲宽度

TJ = 150℃

1

100

10

0.1

1

10

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

1000

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

图2 。

典型的输出特性

1.8

ID = 50A

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

VGS = 10V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

T J = 150℃

10

T J = 25°C

1

VDS = 15V

≤60s

脉冲宽度

0.1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

14

ID = 50A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

12

10

8

6

4

2

0

VDS = 24V

VDS = 15V

C，电容（pF ）

10000

西塞

1000

科斯

CRSS

100

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

20

40

60

80

100

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图6 。

典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压

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3

IRFH5301PbF

1000

10000

在这一领域有限

按R（上）

DS

ISD ，反向漏电流（ A）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

T J = 150℃

1000

100sec

100

10

T J = 25°C

10

1msec

1

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VSD ，源极到漏极电压（V ）

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.10

1

10msec

0.1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源漏二极管正向电压

200

图8 。

最大安全工作区

3.0

VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）

不限按包

160

ID ，漏电流（ A）

2.5

120

2.0

80

1.5

ID = 1.0A

ID = 1.0毫安

ID = 250μA

ID = 100μA

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150

40

1.0

0

25

50

75

100

125

150

T C ，外壳温度（ ° C）

0.5

TJ ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

案例（下）温度

10

热响应（Z thJC ）° C / W

图10 。

阈值电压与温度的关系

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.001

0.01

0.1

0.01

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（底部）

4

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IRFH5301PbF

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M

)

6

700

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

ID = 50A

5

4

3

600

500

400

300

200

100

0

ID

顶部

9.69A

18.4A

BOTTOM 50A

T J = 125°C

2

1

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

TJ = 25°C

25

50

75

100

125

150

VGS ，门-to - 源电压（V ）

开始T J ，结温（ ° C）

图12 。

导通电阻比。栅极电压

图13 。

最大雪崩能量与漏电流

V

（ BR ） DSS

15V

tp

VDS

L

司机

RG

20V

D.U.T

IAS

tp

+

V

- DD

A

I

AS

0.01

图14A 。

非钳位感应测试电路

图14B 。

非钳位感应波形

V

DS

V

GS

R

G

V10V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1

R

D

90%

D.U.T.

+

V

DS

-

V

DD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图15A 。

开关时间测试电路

图15B 。

开关时间波形

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