PD - 90397G
功率MOSFET
直通孔（ MO- 036AB ）
产品概述
产品型号
IRFG9110
R
DS （ ON）
I
D
1.4 -0.75A
IRFG9110
JANTX2N7335
JANTXV2N7335
REF ： MIL -PRF-五百九十九分之一万九千五百
100V ， QUAD P- CHANNEL
HEXFET
MOSFET技术
HEXFET
MOSFET技术的关键在于国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该
高效的几何设计实现的状态非常低电阻
tance结合高跨导。
HEXFET
转录
电阻取值也配备了所有的既定优势
MOSFET的诸如电压控制的，非常快速的切换，
易于并联和电参数的温度
稳定。它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器，高能量脉冲电路，而且几乎
在需要高可靠性的应用程序。该
HEXFET
晶体管的完全隔离封装消除了
需要用于设备之间的附加绝缘材料
和散热器。这提高了热效率和
降低了漏极电容。
MO-036AB
产品特点：
n
n
n
n
n
n
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
动态的dv / dt额定值
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
1.3 （典型值）
-0.75
-0.5
-3.0
1.4
0.011
±20
75
—
—
-5.5
-55到150
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
04/16/02
IRFG9110
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
-100
—
—
—
-2.0
0.67
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.098
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
1.4
1.73
-4.0
—
-25
-250
-100
100
15
7.0
8.0
30
60
40
40
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -10V ，ID = -0.5A
VGS = -10V ，ID = -0.75A
VDS = VGS ，ID = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -0.5A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -0.75A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -0.75A
VGS = -10V ， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从漏极引线测量（6毫米/
0.25英寸从包）至源极引脚
（6毫米/ 0.25英寸从包中）
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
国际空间站
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
200
85
30
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-0.75
-3.0
-5.5
200
9.0
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25°C ， IS = -0.75A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -0.75A ， di / dt的
≤-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
17
90
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
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功率MOSFET
直通孔（ MO- 036AB ）
产品概述
产品型号
IRFG9110
R
DS （ ON）
I
D
1.4 -0.75A
IRFG9110
JANTX2N7335
JANTXV2N7335
REF ： MIL -PRF-五百九十九分之一万九千五百
100V ， QUAD P- CHANNEL
HEXFET
MOSFET技术
HEXFET
MOSFET技术的关键在于国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该
高效的几何设计实现的状态非常低电阻
tance结合高跨导。
HEXFET
转录
电阻取值也配备了所有的既定优势
MOSFET的诸如电压控制的，非常快速的切换，
易于并联和电参数的温度
稳定。它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器，高能量脉冲电路，而且几乎
在需要高可靠性的应用程序。该
HEXFET
晶体管的完全隔离封装消除了
需要用于设备之间的附加绝缘材料
和散热器。这提高了热效率和
降低了漏极电容。
MO-036AB
产品特点：
n
n
n
n
n
n
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
动态的dv / dt额定值
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
1.3 （典型值）
-0.75
-0.5
-3.0
1.4
0.011
±20
75
—
—
-5.5
-55到150
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
04/16/02
IRFG9110
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
-100
—
—
—
-2.0
0.67
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.098
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
1.4
1.73
-4.0
—
-25
-250
-100
100
15
7.0
8.0
30
60
40
40
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -10V ，ID = -0.5A
VGS = -10V ，ID = -0.75A
VDS = VGS ，ID = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -0.5A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -0.75A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -0.75A
VGS = -10V ， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从漏极引线测量（6毫米/
0.25英寸从包）至源极引脚
（6毫米/ 0.25英寸从包中）
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
国际空间站
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
200
85
30
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
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—
-0.75
-3.0
-5.5
200
9.0
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25°C ， IS = -0.75A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -0.75A ， di / dt的
≤-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
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17
90
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
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