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PD - 91717B
IRFE9230
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
JANTX2N6851U
HEXFET晶体管
JANTXV2N6851U
表面贴装( LCC- 18 )
[ REF : MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五]
200V , P- CHANNEL
产品概述
产品型号
IRFE9230
B
VDSS
-200V
R
DS ( ON)
0.80
I
D
-4.0A
的无引线芯片载体(LCC )封装,表示
中的表面不断演进合理的下一步
安装技术。 Desinged是一个紧密替代
对于TO- 39封装, LCC会给设计师
额外的灵活性,他们需要增加电路板的巢穴
sity 。国际整流器公司设计的LCC封装
年龄通过以满足电力市场的具体需要
增加底部源极焊盘的大小,从而
增强的热性能和电性能。该
包装的盖被接地到所述源,以减少
RF干扰。
LCC-18
产品特点:
!
!
!
!
!
!
!
!
表面贴装
占用空间小
替代TO- 39封装
密封式
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V , TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -10V , TC = 100 ℃的连续漏电流
我DM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
-4.0
-2.4
-16
25
0.20
±20
171
-
-
-1.1
-55到150
300 ( 5秒)
0.42(typical)
W
W / ℃,
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/17/01
IRFE9230
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS ( ON)
VGS ( TH)
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C(除非另有说明)
-200
-2.0
2.2
典型值最大值单位
-0.21
6.1
0.80
1.68
-4.0
-25
-250
-100
100
35
6.1
21
50
100
80
80
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ,ID = -1.0mA
参考至25℃ , n = -1.0mA
VGS = -10V ,ID = -2.4A
VGS = -10V ,ID = -4.0A
VDS = VGS ,ID = -250μA
VDS > -15V , IDS = -2.4A
VDS = -160V , VGS = 0V
VDS = -160V
VGS = 0V , TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ,ID = -4.0A
VDS = -100V
VDD = -100V , ID = --4.0A ,
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
我GSS
我GSS
Qg
QGS
QGD
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极(米勒?? ??)充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源中心
PAD
VGS = 0V , VDS = -25V
F = 1.0MHz的
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
700
200
45
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
-4.0
-16
-5.6
400
4.0
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25°C , IS = -4.0A , VGS = 0V
TJ = 25°C , IF = -4.0A , di / dt的
≤-100A/s
VDD
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结到PC板
最小典型最大单位
5.0
° C / W
19"
& QUOT ; & QUOT ;
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRFE9230
100
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
顶部
100
10
10
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
顶部
-4.5V
1
-4.5V
1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= -4.0A
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
2.0
T
J
= 25
°
C
10
1.5
T
J
= 150
°
C
1.0
0.5
1
V DS = -50V
20μs的脉冲宽度
4
5
6
7
8
9
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFE9230
1400
1200
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ,
C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= -4.0 A
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
16
C,电容(pF )
1000
800
600
400
200
0
西塞
12
8
科斯
CRSS
1
10
100
4
0
测试电路
见图13
0
5
10
15
20
25
30
35
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10
T
J
= 150
°
C
-I
D
,漏电流( A)
I
10us
10
100us
T
J
= 25
°
C
1
1ms
1
10ms
0.1
1.0
V
GS
= 0 V
2.0
3.0
4.0
5.0
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
100
1000
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFE9230
4.0
V
DS
R
D
-I
D
,漏电流( A)
3.0
V
GS
R
G
D.U.T.
+
2.0
-10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
0.0
V
GS
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
10%
90%
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
V
DS
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
单脉冲
(热反应)
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
1
0.1
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
www.irf.com
-
V
DD
5
IRFE9230
机械数据
尺寸mm (英寸)
P- CHANNEL
功率MOSFET
2.16 (0.085)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
11
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
10
9
8
7
6
5
4
3
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
弧度。
0.08 (0.003)
V
DSS
I
D(续)
R
DS ( ON)
特点
=表面贴装
占用空间小
-200V
-3.6A
0.825
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.43 (0.017)
0.18 ( 0.007拉德。
LCC4
MOSFET
来源
密封
引脚
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
晶体管
BASE
集热器
辐射源
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
(T
= 25 ° C除非另有说明)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
= 25°C
连续漏电流@ T
= 100°C
漏电流脉冲
功率耗散@ T
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
表面温度( 5秒) 。
±20V
– 3.6A
– 2.2A
– 14.4A
22W
0.17W/°C
75mJ
- 5V / ns的
- 55至+ 150°C
300°C
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
网站http://www.semelab.co.uk
10/98
IRFE9230
电气特性
(温度上限= 25 ° C除非另有说明)
参数
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
R
DS ( ON)
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
温度COEF网络cient
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极( “米勒” )费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= -1mA
参考至25℃
I
D
= -1mA
V
GS
= –10V
V
GS
= –10V
V
DS
= V
GS
V
DS
–15V
V
GS
= 0
V
GS
= –20V
V
GS
= 20V
V
GS
= 0
V
DS
= –25V
F = 1MHz的
V
GS
= –10V
I
D
= –3.6A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= –100V
I
D
= –3.6A
R
G
= 7.5
I
D
= –2.2A
I
D
= –3.6A
I
D
= -250mA
I
DS
= –2.2A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
分钟。
–200
典型值。
马克斯。
单位
V
– 0.22
0.80
0.825
–2
2.2
– 25
– 250
– 100
100
700
200
40
14.7
0.8
5.0
34.8
7.0
17
50
100
100
80
–3.6
–14.4
–6.0
400
4.0
微不足道
1.8
4.3
5.8
19
–4
V /°C的
V
S ()
A
nA
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
L
D
L
S
pF
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
2
I
S
= –3.6A
T
J
= 25°C
二极管的正向电压
1
V
GS
= 0
反向恢复时间
I
F
= –3.6A
T
J
= 25°C
反向恢复电荷
1
d
i
/ d
t
-100A /μs的V
DD
–50V
向前开启时间
封装特性
内部排水电感
(从6mm向下漏极引出测量到模具的中心)
内部源极电感
(从6mm下来源铅源焊盘)
热特性
热阻结 - 壳
热电阻交界 - PC板
A
V
ns
C
nH
R
θJC
R
θJPC
° C / W
笔记
1 )脉冲测试:脉冲宽度
300ms,
δ ≤
2%
2 )重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
网站http://www.semelab.co.uk
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
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    终端采购配单精选

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