IRFE9130
机械数据
尺寸mm （英寸）
P- CHANNEL
功率MOSFET
≈
2.16 (0.085)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
11
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
10
9
8
7
6
5
4
3
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
弧度。
0.08 (0.003)
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
=表面贴装
占用空间小
-100V
-6.1A
0.345
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.43 (0.017)
0.18 （ 0.007拉德。
LCC4
MOSFET
门
漏
来源
密封
引脚
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
晶体管
BASE
集热器
辐射源
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
例
= 25°C
连续漏电流@ T
例
= 100°C
漏电流脉冲
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
表面温度（ 5秒） 。
±20V
– 6.1A
– 3.8A
– 24A
22W
0.17W/°C
92mJ
- 5.5V / ns的
- 55至+ 150°C
300°C
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
网站http://www.semelab.co.uk
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IRFE9130
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
R
DS （ ON）
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
温度COEF网络cient
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= -1mA
参考至25℃
I
D
= -1mA
V
GS
= –10V
V
GS
= –10V
V
DS
= V
GS
V
DS
≥
–15V
V
GS
= 0
V
GS
= –20V
V
GS
= 20V
V
GS
= 0
V
DS
= –25V
F = 1MHz的
V
GS
= –10V
I
D
= –6.1A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= –50V
I
D
= –6.1A
R
G
= 7.5
I
D
= –3.8A
I
D
= –6.1A
I
D
= -250mA
I
DS
= –3.8A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
分钟。
–100
典型值。
马克斯。
单位
V
– 0.10
0.30
0.345
–2
2.5
– 25
– 250
– 100
100
800
350
125
14.7
1.0
2.0
38.4
7.1
21
60
140
140
140
–1.6
–24
–4.7
250
3.0
微不足道
1.8
4.3
5.8
19
–4
V /°C的
V
S ()
A
nA
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
L
D
L
S
pF
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
2
I
S
= –1.6A
T
J
= 25°C
二极管的正向电压
1
V
GS
= 0
反向恢复时间
I
F
= –6.1A
T
J
= 25°C
反向恢复电荷
1
d
i
/ d
t
≤
-100A /μs的V
DD
≤
–50V
向前开启时间
封装特性
内部排水电感
（从6mm向下漏极引出测量到模具的中心）
内部源极电感
（从6mm下来源铅源焊盘）
热特性
热阻结 - 壳
热电阻交界 - PC板
A
V
ns
C
nH
R
θJC
R
θJPC
° C / W
笔记
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300ms,
δ ≤
2%
2 ）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
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10/98
PD - 91716B
IRFE9130
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
JANTX2N6849U
HEXFET
晶体管
JANTXV2N6849U
[ REF ： MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五]
100V ， P- CHANNEL
产品概述
产品型号
IRFE9130
B
VDSS
-100V
R
DS （ ON）
0.30
I
D
-6.5A
的无引线芯片载体（LCC ）封装，表示
中的表面不断演进合理的下一步
安装技术。 Desinged是一个紧密替代
对于TO- 39封装， LCC会给设计师
额外的灵活性，他们需要增加电路板的巢穴
sity 。国际整流器公司设计的LCC封装
年龄通过以满足电力市场的具体需要
增加底部源极焊盘的大小，从而
增强的热性能和电性能。该
包装的盖被接地到所述源，以减少
RF干扰。
LCC-18
产品特点：
!
!
!
!
!
!
!
!
表面贴装
占用空间小
替代TO- 39封装
密封式
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
我DM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
-6.5
-4.1
25
25
0.20
±20
165
-
-
-30
-55到150
300 （ 5秒）
0.42(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/17/01
IRFE9130
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
-100
—
—
—
-2.0
1.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.30
0.345
-4.0
—
-25
-250
-100
100
35
6.8
23
60
140
140
140
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -10V ，ID = -4.1A
VGS = -10V ，ID = -6.5A
VDS = VGS ，ID = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -4.1A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -6.5A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -6.5A ，
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
我GSS
我GSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源中心
PAD
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
790
340
71
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-6.5
-25
-4.3
250
3.0
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25°C ， IS = -6.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -6.5A ， di / dt的
≤-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结到PC板
最小典型最大单位
—
—
—
—
5.0
° C / W
19"
＆ QUOT ; ＆ QUOT ;
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
QQ：2880707522 复制
