IRFD9220
数据表
1999年7月
网络文件编号
2286.3
0.6A ， 200V ， 1.500欧姆， P沟道功率
MOSFET
这种P沟道增强型硅栅功率音响场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA17502 。
特点
0.6A ， 200V
r
DS （ ON）
= 1.500
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
符号
D
订购信息
产品型号
IRFD9220
包
HEXDIP
BRAND
IRFD9220
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。
包装
HEXDIP
漏
门
来源
4-51
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRFD9220
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFD9220
-200
-200
-0.6
-4.8
±20
1.0
0.008
290
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V ， （图9）
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
民
-200
-2.0
-
-
-0.6
-
-
0.6
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz时， （图10）
-
-
-
测量从排水
铅， 2.0毫米（ 0.08in ）从
标头的模具中心
从源测量
铅， 0.2毫米（ 0.08in ）从
头源极连接
PAD
修改MOSFET
符号显示在 -
ternal设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-4.0
-25
-250
-
±500
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
政府飞行服务队
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= -10V
V
GS
=
±20V
I
D
= -0.3A ，V
GS
= -10V ， （图7,8 ）
V
DS
< 50V ，我
D
= -0.3A ， （图11）
V
DD
= 0.5×额定BV
DSS
, I
D
≈
0.6A ，R
G
= 9.1
V
GS
= -10V ， （图16，图17）
R
L
= 165Ω为V
DD
= 100V
MOSFET开关时间基本上是Indepen-
凹痕工作温度。
V
GS
= -10V ，我
D
= -0.6A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
,
I
G（ REF ）
= 1.5毫安， （图13 ， 18 ， 19 ）
栅极电荷基本上是独立运营的
温度
1.000 1.500
1.0
15
25
80
50
16
10
4
350
100
30
4.0
-
40
50
120
75
22
-
-
-
-
-
-
-
内部源极电感
L
S
-
6.0
-
nH
热阻结到环境
R
θJA
典型的插座安装
-
-
120
o
C / W
4-52
IRFD9220 ， SiHFD9220
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 200
V
GS
= - 10 V
15
3.2
8.4
单身
S
特点
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
1.5
可用的
自动插入
可堆叠结束
P沟道
快速开关
易于并联的
铅（Pb） ，免费提供
RoHS指令*
柔顺
HEXDIP
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
4引脚DIP封装是一种低成本的机器导入案例
样式可被堆叠在多个组合上
标准0.1"销中心。双重排液作为热
连接到安装表面，用于功率耗散水平达
1 W.
S
D
G
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
HEXDIP
IRFD9220PbF
SiHFD9220-E3
IRFD9220
SiHFD9220
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
- 200
± 20
- 0.56
- 0.36
- 4.5
0.0083
420
- 0.56
0.10
1.0
- 5.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 130 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 2.2 （见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 3.9 A， di / dt的
≤
95 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91141
S-挂起-REV 。 A， 13军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
IRFD9220 ， SiHFD9220
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
符号
R
thJA
典型值。
-
马克斯。
120
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 0.34 A
b
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 0.35 A
b
- 200
-
- 2.0
-
-
-
-
0.55
-
- 0.22
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
1.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
340
110
33
-
-
-
8.8
27
7.3
19
4.0
6.0
-
-
-
15
3.2
8.4
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 2.1 A，V
DS
= - 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 100 V，I
D
= - 3.9 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 24
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
150
0.97
- 0.56
A
- 4.5
- 6.3
300
2.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 0.56 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 3.9 ， di / dt的= 100 A / μs的
b
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91141
S-挂起-REV 。 A， 13军08
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