IRFD210 ， SiHFD210
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
8.2
1.8
4.5
单身
D
特点
200
1.5
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
自动插入
可堆叠结束
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
HEXDIP
描述
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
4引脚DIP封装是一种低成本的机器导入案例
样式可被堆叠在多个组合上
标准0.1"销中心。双重排液作为热
连接到安装表面，用于功率耗散水平达
1 W.
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
HEXDIP
IRFD210PbF
SiHFD210-E3
IRFD210
SiHFD210
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
200
± 20
0.60
0.38
4.8
0.0083
79
0.60
0.10
1.0
5.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 82 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 1.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
3.3 A， di / dt的
≤
70 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91129
S- 81263 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
www.vishay.com
1
IRFD210 ， SiHFD210
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
符号
R
thJA
典型值。
-
马克斯。
120
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.36 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 0.36 A
b
200
-
2.0
-
-
-
-
0.10
-
0.30
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
1.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
140
53
15
-
-
-
8.2
17
14
8.9
4.0
6.0
-
-
-
8.2
1.8
4.5
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.3 A，V
DS
= 160 V
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 100 V，I
D
= 3.3 A
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 30
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
150
0.60
0.60
A
4.8
2.0
310
1.4
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 0.60 ，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %
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文档编号： 91129
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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