IRFD110
数据表
1999年7月
网络文件编号
2314.3
1A ， 100V ， 0.600 Ohm的N通道功率
MOSFET
这种N沟道增强型硅栅功率科幻场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA17441 。
特点
1A ， 100V
r
DS （ ON）
= 0.600
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRFD110
包
HEXDIP
BRAND
IRFD110
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。
G
S
包装
HEXDIP
漏
门
来源
4-269
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRFD110
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFD110
100
100
1.0
8.0
±20
1.0
0.008
19
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏极至源极击穿电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子（参见图1） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图9）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
民
100
2.0
-
-
1.0
-
-
0.8
-
-
-
-
V
GS
= 10V ，我
D
≈
1.0A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS ，
I
G（ REF ）
= 1.5毫安（图13）
栅极电荷基本上是独立的
工作温度
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
（图10 ）
-
-
-
-
-
-
测量从排水
领先的2mm （ 0.08in ）从
包装以模具中心
从源测量
领先的2mm （ 0.08in ）从
头源极连接
PAD
修改MOSFET
符号显示的
内部寄存器的
电感
D
L
D
G
L
S
S
典型值
-
-
-
-
-
-
0.5
1.2
10
15
15
10
5.0
2.0
3.0
135
80
20
4.0
最大
-
4.0
25
250
-
±100
0.6
-
20
25
25
20
7.0
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
政府飞行服务队
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V
V
GS
=
±20V
I
D
= 0.8A ，V
GS
= 10V （图7，图8）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 0.8A （图11）
V
DD
= 0.5×额定BV
DSS
, I
D
≈
1.0A,
R
G
= 9.1, R
L
= 50
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
-
内部源极电感
L
S
-
6.0
-
nH
热阻结到环境
R
θJA
自由空气操作
-
-
120
o
C / W
4-270
IRFD110 ， SiHFD110
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
8.3
2.3
3.8
单身
D
特点
100
0.54
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
自动插入
可堆叠结束
175 ° C的工作温度
快速切换和易于并联的
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
HEXDIP
描述
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
4引脚DIP封装是一种低成本的机器导入案例
样式可被堆叠在多个组合上
标准0.1"销中心。双重排液作为热
连接到安装表面，用于功率耗散水平达
1 W.
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
HEXDIP
IRFD110PbF
SiHFD110-E3
IRFD110
SiHFD110
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
100
± 20
1.0
0.71
8.0
0.0083
140
1.0
0.13
1.3
5.5
- 55 + 175
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 52 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 2.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.6 A， di / dt的
≤
75 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91127
S- 81263 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
www.vishay.com
1
IRFD110 ， SiHFD110
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
符号
R
thJA
典型值。
-
马克斯。
120
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.60 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 0.60 A
b
100
-
2.0
-
-
-
-
0.80
-
0.12
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.54
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
180
81
15
-
-
-
6.9
16
15
9.4
4.0
6.0
-
-
-
8.3
2.3
3.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.6 A，V
DS
= 80 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 50 V，I
D
= 5.6 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 8.4
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
100
0.44
1.0
A
8.0
2.5
200
0.88
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.6 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91127
S- 81263 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
IRFD110 ， SiHFD110
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
V
GS
10
1
顶部
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
10
1
25
°
C
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
175
°
C
10
0
10
0
4.5
V
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
-1
4
91127_03
20
s
脉冲
宽度
V
DS
=
50
V
5
6
7
8
9
10
91127_01
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
V
GS ，
栅极 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
10
1
顶部
I
D
，漏电流（ A）
10
0
V
GS
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D
= 5.6 A
V
GS
= 10
V
4.5
V
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
175 °C
10
-1
91127_02
10
0
10
1
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60
80
100 120 140 160 180
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
91127_04
T
J,
结温（ ° C）
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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IRFD110 ， SiHFD110
Vishay Siliconix公司
400
I
SD
，反向漏电流（ A）
320
电容（pF）
V
GS
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
175
°
C
240
C
国际空间站
160
C
OSS
10
0
25
°
C
80
C
RSS
0
10
0
91127_05
10
-1
V
GS
= 0
V
10
1
0.5
91127_07
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
I
D
= 5.6 A
V
DS
=
80 V
10
2
5
在这一领域有限
by
R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
16
V
DS
= 50
V
V
DS
= 20
V
2
10
5
2
12
10
s
100
s
1
ms
10
ms
T
C
= 25
°C
T
J
= 175
°C
单脉冲
2
5
8
1
5
4
测试电路
见图13
2
0
0
91127_06
2
4
6
8
10
91127_08
0.1
0.1
1
2
5
10
2
5
10
2
2
5
10
3
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
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IRFD110 ， SiHFD110
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
1.0
R
G
V
GS
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
0.8
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
0.6
0.4
图。 10A - 开关时间测试电路
0.2
V
DS
90
%
0.0
25
91127_09
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
10
3
热响应（Z
thJC
)
10
2
0
0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
0.01
1
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
0.1
10
-2
10
-5
91127_11
t
2
注意事项：
1.占空比，D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
j
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
10
-2
0.1
1
10
10
2
10
3
10
-4
10
-3
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
变化
t
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
t
p
V
DD
D.U.T.
I
AS
10
V
t
p
0.01
Ω
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
www.vishay.com
5
V
DS
+
-
V
DD
V
DS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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QQ：2880707522 复制
