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PD- 91874
IRFC044
HEXFET
晶圆形式功率MOSFET模
D
G
S
60 V
规模4.0
Rds(on)=0.034
5"晶圆
电气特性(晶圆表)
参数
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
T
J
T
英镑
描述
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅极 - 源极漏
工作结
存储温度范围
保证(最小/最大)
60V最小。
0.034Ω最大。
2.1V最小。
100μA最大。
± 10μA最大。
125 ° C最大。
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 100A
V
GS
= 10V ,我
D
= 5.0A
V
DS
= 5.0V ,我
D
= 250A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ,T
J
= 25°C
V
GS
= ±20V
机械数据
标称Backmetal组成,厚度:
标称正面金属组成,厚度:
尺寸:
晶圆直径:
晶圆厚度:
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境:
推荐模具附加条件
参考标准封装的IR部分(设计) : IRFZ44
CR - NIV-银(为1kA ° -2kA ° -2.5kA ° )
99 %的Al, 1 %的Si ( 0.004毫米)
0.170" X 0.180" ( 4.32毫米X 4.57毫米)
125毫米100平
0.375mm + / -0.020mm
01-5018
0.084 mm
0.51毫米直径最小
储存于原装容器中,在dessicated
氮气,没有污染
为了获得最佳的电气结果,芯片粘接
温度不应超过300℃的
模具大纲
3/23/99
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