【PD - 91819C开关电源MOSFETIRFBL10N60AHEXFET功率MOSFET应用l开】,IC型号IRFBL10N60A,IRFBL10N60A PDF资料,IRFBL10N60A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 91819C

开关电源MOSFET

IRFBL10N60A

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

开关模式电源（SMPS ）

l

不间断电源

l

高速电源开关

好处

l

低栅极电荷Qg结果简单

驱动要求

l

改进的门，雪崩和动态

的dv / dt坚固

l

充分界定电容和

雪崩电压和电流

V

DSS

600V

RDS（ON）最大值

0.61

I

D

11A

超级-D

2

PAK

TM

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

11

7.0

44

180

1.4

± 30

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

适用关Line开关电源拓扑：

l

l

有源钳位正激

主开关

笔记

通过

是第8页

www.irf.com

1

2/16/00

IRFBL10N60A

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

分钟。

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

600

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数---

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻---

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

2.0

–––

I

DSS

漏极至源极漏电流

–––

栅 - 源正向漏

–––

I

GSS

栅 - 源反向漏

–––

典型值。

–––

0.69

–––

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安？

0.61

V

GS

= 10V ，我

D

= 6.6A

4.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 480V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

7.0

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

–––

–––

–––

18

40

38

35

1895

254

9.2

2560

67

70

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 6.6A

63

I

D

= 11A

14

NC V

DS

= 480V

26

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 300V

–––

I

D

= 11A

ns

–––

R

G

= 7.5

–––

R

D

= 27Ω ，参照图10

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 480V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至480V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

454

11

18

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态）

典型值。

–––

–––

马克斯。

0.70

40

单位

° C / W

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

11

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 44

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.5

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 11A ，V

GS

= 0V

––– 585 880

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 11A

––– 3.8 5.8

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

www.irf.com

IRFBL10N60A

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

10

1

4.5V

4.5V

0.1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

1

10

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

I

D

= 11A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

T

J

= 150

°

C

2.0

10

1.5

1.0

T

J

= 25

°

C

0.5

1

4.0

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

5.0

6.0

7.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFBL10N60A

100000

20

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

DS GD

I

D

= 11A

V

DS

= 480V

V

DS

= 300V

V

DS

= 120V

16

C，电容（pF ）

西塞

1000

12

科斯

100

8

10

CRSS

4

1

1

10

100

1000

0

0

10

20

30

测试电路

见图13

40

50

60

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 150

°

C

100

10us

10

100us

1ms

1

10ms

T

J

= 25

°

C

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

10

100

1000

10000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRFBL10N60A

12

V

DS

V

GS

R

G

R

D

10

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

-

V

DD

8

10V

6

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

4

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

2

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

1

D = 0.50

热响应（Z

thJC

)

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

PD - 91819C

开关电源MOSFET

IRFBL10N60A

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

开关模式电源（SMPS ）

l

不间断电源

l

高速电源开关

好处

l

低栅极电荷Qg结果简单

驱动要求

l

改进的门，雪崩和动态

的dv / dt坚固

l

充分界定电容和

雪崩电压和电流

V

DSS

600V

RDS（ON）最大值

0.61

I

D

11A

超级-D

2

PAK

TM

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

11

7.0

44

180

1.4

± 30

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

适用关Line开关电源拓扑：

l

l

有源钳位正激

主开关

笔记

通过

是第8页

www.irf.com

1

2/16/00

IRFBL10N60A

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

分钟。

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

600

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数---

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻---

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

2.0

–––

I

DSS

漏极至源极漏电流

–––

栅 - 源正向漏

–––

I

GSS

栅 - 源反向漏

–––

典型值。

–––

0.69

–––

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安？

0.61

V

GS

= 10V ，我

D

= 6.6A

4.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 480V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

7.0

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

–––

–––

–––

18

40

38

35

1895

254

9.2

2560

67

70

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 6.6A

63

I

D

= 11A

14

NC V

DS

= 480V

26

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 300V

–––

I

D

= 11A

ns

–––

R

G

= 7.5

–––

R

D

= 27Ω ，参照图10

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 480V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至480V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

454

11

18

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态）

典型值。

–––

–––

马克斯。

0.70

40

单位

° C / W

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

11

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 44

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.5

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 11A ，V

GS

= 0V

––– 585 880

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 11A

––– 3.8 5.8

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

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IRFBL10N60A

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

10

1

4.5V

4.5V

0.1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

1

10

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

I

D

= 11A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

T

J

= 150

°

C

2.0

10

1.5

1.0

T

J

= 25

°

C

0.5

1

4.0

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

5.0

6.0

7.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFBL10N60A

100000

20

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

DS GD

I

D

= 11A

V

DS

= 480V

V

DS

= 300V

V

DS

= 120V

16

C，电容（pF ）

西塞

1000

12

科斯

100

8

10

CRSS

4

1

1

10

100

1000

0

0

10

20

30

测试电路

见图13

40

50

60

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 150

°

C

100

10us

10

100us

1ms

1

10ms

T

J

= 25

°

C

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

10

100

1000

10000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFBL10N60A

12

V

DS

V

GS

R

G

R

D

10

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

-

V

DD

8

10V

6

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

4

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

2

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

1

D = 0.50

热响应（Z

thJC

)

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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