IRFBC40AS ， SiHFBC40AS
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
42
10
20
单身
D
特点
600
1.2
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
全
特征
电容
雪崩电压和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
和
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
2
PAK （ TO-263 ）
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
·不间断电源
高速电源开关
克
S
S
N沟道
MOSFET
典型SMPS拓扑
单管正激
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC40ASPbF
SiHFBC40AS-E3
IRFBC40AS
SiHFBC40AS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC40ASTRLPbF
a
SiHFBC40ASTL-E3
a
IRFBC40ASTRL
a
SiHFBC40ASTL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC40ASTRRPbF
a
SiHFBC40ASTR-E3
a
IRFBC40ASTRR
a
SiHFBC40ASTR
a
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
漏电流脉冲
A，E
线性降额因子
单脉冲雪崩
能源
b
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 29.6 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 6.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
6.2 A， di / dt的
≤
88 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRFBC40A / SiHFBC40A数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91113
S-挂起-REV 。 A， 23军08
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1
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 30
6.2
3.9
25
1.0
570
6.2
13
125
6.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
WORK -IN -PROGRESS
IRFBC40AS ， SiHFBC40AS
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
1.0
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容有效
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
d
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.7 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 3.7 A
600
-
2.0
-
-
-
-
3.4
-
0.66
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
1.2
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至480 V
c
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.2 A，V
DS
= 480 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1036
136
7.0
1487
36
48
-
-
-
13
23
31
18
-
-
-
-
-
-
42
10
20
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 300 V，I
D
= 6.2 A,
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 47
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
431
1.8
6.2
A
25
1.5
647
2.8
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 6.2 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 6.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升的FOM为0 80 ％的V
DS
.
。使用IRHFBC40A / SiHFBC40A数据和试验条件。
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2
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