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SMPS
MOSFET
PD - 94986
IRFBC40APbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
开关模式电源（SMPS ）
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
LEAD -FREE
好处
l
低栅极电荷Qg结果简单
驱动要求
l
改进的门，雪崩和动态
的dv / dt坚固
l
充分界定电容和
雪崩电压和电流
l
有效Coss规定（见AN 1001 ）
V
DSS
600V
RDS（ON）最大值
1.2
I
D
6.2A
TO-220AB
g DS的
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装torqe ， 6-32或M3螺丝
马克斯。
6.2
3.9
25
125
1.0
± 30
6.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
典型SMPS拓扑：
l
单管正激
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
2/5/04
IRFBC40APbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
600
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数---
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻---
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
2.0
–––
I
DSS
漏极至源极漏电流
–––
栅 - 源正向漏
–––
I
GSS
栅 - 源反向漏
–––
典型值。
–––
0.66
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
1.2
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.7A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
25
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
3.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
13
23
31
18
1036
136
7.0
1487
36
48
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 3.7A
42
I
D
= 6.2A
10
NC V
DS
= 480V
20
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 300V
–––
I
D
= 6.2A
ns
–––
R
G
= 9.1
–––
R
D
= 47Ω ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
570
6.2
13
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
马克斯。
1.0
–––
62
单位
° C / W
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
6.2
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
25
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 6.2A ，V
GS
= 0V
––– 431 647
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 6.2A
––– 1.8 2.8
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
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IRFBC40APbF
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1
4.5V
0.1
4.5V
1
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
J
1
10
100
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
J
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性，
图2 。
典型的输出特性，
100
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
6.2A
I
D
= 5.9A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
T
J
= 150
°
C
10
2.0
T
J
= 25
°
C
1
1.5
1.0
0.5
0.1
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFBC40APbF
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
20
I
D
=
6.2A
5.9A
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
10000
C，电容（pF ）
16
1000
西塞
科斯
12
100
8
10
CRSS
4
1
1
10
100
1000
0
测试电路
见图13
0
8
16
24
32
40
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10us
10
T
J
= 150
°
C
I
D
，漏电流（ A）
10
100us
T
J
= 25
°
C
1
1ms
1
10ms
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
10
100
1000
10000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFBC40APbF
7.0
6.0
V
DS
V
GS
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-
V
DD
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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