IRFBC30AS ， IRFBC30AL ， SiHFBC30AS ， SiHFBC30AL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
23
5.4
11
单身
D
特点
600
2.2
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
I
2
PAK （ TO- 262 ）
D
2
PAK （ TO-263 ）
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
G
·不间断电源
高速电源开关
典型SMPS拓扑
单管反激
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC30ASPbF
SiHFBC30AS-E3
IRFBC30AS
SiHFBC30AS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC30ASTRLPbF
a
SiHFBC30ASTL-E3
a
IRFBC30ASTRL
a
SiHFBC30ASTL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC30ASTRRPbF
a
SiHFBC30ASTR-E3
a
IRFBC30ASTRR
a
SiHFBC30ASTR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRFBC30ALPbF
SiHFBC30AL-E3
IRFBC30AL
SiHFBC30AL
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
600
± 30
3.6
2.3
14
0.69
290
3.6
7.4
74
7.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 46 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 3.6 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
3.6 A， di / dt的
≤
170 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRFBC30A / SiHFBC30A数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91109
S- 81412 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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IRFBC30AS ， IRFBC30AL ， SiHFBC30AS ， SiHFBC30AL
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热电阻额定值
参数
最大结到环境（PCB
安装，稳态）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
1.7
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
d
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.2 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 2.2 A
600
-
2.0
-
-
-
-
2.1
-
0.67
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
± 100
25
250
2.2
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至480 V
c
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.6 A，V
DS
= 480 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
510
70
3.5
730
19
31
-
-
-
9.8
13
19
12
-
-
-
-
-
-
23
5.4
11
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 300 V，I
D
= 3.6 A,
R
G
= 12
Ω,
R
D
= 82
Ω,
参见图。 10
B，D
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
400
1.1
3.6
A
14
1.6
600
1.7
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.6 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.6 A， di / dt的= 100 A / μs的
b,
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
。使用IRFBC30A / SiHFBC30A数据和试验条件。
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
10
T
J
= 150
°
C
1
1
T
J
= 25
°
C
0.1
0.1
0.01
0.1
4.5V
20μs的脉冲
宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.01
4.0
V
DS = 50V
20μs的脉冲
宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 1 - 典型的输出特性
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
10
顶部
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
3.0
I
D
= 3.6A
2.5
2.0
1
1.5
1.0
4.5V
0.5
0.1
0.1
20μs的脉冲
宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
，结温（
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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10000
100
1000
COSS = C + Cgd的
ds
I
SD
，反向漏电流（ A）
V
GS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
C，电容（pF ）
西塞
100
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
科斯
10
CRSS
1
1
10
100
1000
0.1
0.4
V
GS
= 0
V
0.6
0.8
1.0
1.2
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
I
D
= 3.6A
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
100
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
16
I
D
，漏电流（ A）
12
10
10us
100us
8
1
1ms
4
0
0
4
8
12
测试电路
见图13
16
20
24
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
1000
10000
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
4.0
V
GS
R
G
V
DS
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
3.0
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
2.0
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
1.0
90
%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
10
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10B - 开关时间波形
热响应（Z
thJC
)
1 D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
V
DS
15
V
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T.
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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图。 12B - 松开电感的波形
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PD- 91890B
开关电源MOSFET
IRFBC30AS/L
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
开关模式电源（SMPS ）
l
不间断电源
l
高速电源开关
好处
l
低栅极电荷Qg结果简单
驱动要求
l
改进的门，雪崩和动态
的dv / dt坚固
l
充分界定电容和
雪崩电压和电流
l
有效Coss规定（见AN 1001 ）
V
DSS
600V
RDS（ON）最大值
2.2
I
D
3.6A
D 2白
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
3.6
2.3
14
74
0.69
± 30
7.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
典型SMPS拓扑结构：
l
单管反激
笔记
通过
在第10页
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1
5/4/00
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
IRFBC30AS/L
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
600
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数---
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻---
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
2.0
–––
I
DSS
漏极至源极漏电流
–––
栅 - 源正向漏
–––
I
GSS
栅 - 源反向漏
–––
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
2.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.67
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
9.8
13
19
12
510
70
3.5
730
19
31
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
2.2
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.2A
4.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
25
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 2.2A
23
I
D
= 3.6A
5.4
NC V
DS
= 480V
11
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 300V
–––
I
D
= 3.6A
ns
–––
R
G
= 12
–––
R
D
= 82Ω ，见图。 10
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
290
3.6
7.4
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） *
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.7
40
单位
° C / W
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 3.6
展示
A
G
整体反转
––– –––
14
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.6A ，V
GS
= 0V
––– 400 600
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.6A
––– 1.1 1.7
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
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IRFBC30AS/L
100
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1
1
4.5V
0.1
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.01
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
I
D
= 3.6A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
10
T
J
= 150
°
C
1
2.0
1.5
T
J
= 25
°
C
0.1
1.0
0.5
0.01
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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IRFBC30AS/L
10000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
20
I
D
= 3.6A
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
16
1000
C，电容（pF ）
西塞
12
100
科斯
8
10
4
CRSS
1
1
10
100
1000
0
0
4
8
12
测试电路
见图13
16
20
24
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
10
10us
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
100us
1
1ms
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
1000
10000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFBC30AS/L
4.0
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
3.0
R
G
-
V
DD
10V
2.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
1.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
2
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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