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PD -97693

IRFB812PbF

应用

零电压开关SMPS

不间断电源

电机控制应用

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

R

DS （ ON）

典型值。

TRR

典型值。

I

D

500V

1.75Ω

75ns

3.6A

特点和优点

快速体二极管省去了外部

二极管的ZVS应用。

更低的栅极更简单的驱动要求充电的效果。

较高的栅极电压阈值提供了改进的噪声

免疫

.

TO-220AB

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

I

DM

漏电流脉冲

马克斯。

3.6

2.3

14.4

78

0.63

± 20

32

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N M）

P

D

@T

C

= 25 °C功耗

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

e

二极管的特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

t

on

x

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

3.6

A

––– 14.4

–––

75

94

135

220

3.2

1.2

110

140

200

330

4.8

V

ns

nC

A

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 3.6A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 3.6A

T

J

= 125°C ，的di / dt = 100A / μs的

T

J

= 25 ° C，I

S

= 3.6A ，V

GS

= 0V

T

J

= 125°C ，的di / dt = 100A / μs的

T

J

= 25°C

f

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

笔记

通过

在第2页

www.irf.com

1

6/23/11

IRFB812PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

V

（ BR ） DSS

ΔV

（ BR ） DSS

/ΔT

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

500

–––

3.0

–––

0.37

1.75

–––

2.2

5.0

25

2.0

100

-100

条件

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 250μA

Ω

V

GS

= 10V ，我

D

= 2.2A

V V

DS

= V

GS

, I

D

= 250μA

μA

V

DS

= 500V, V

GS

= 0V

毫安V

DS

= 400V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

nA的V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

f

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

C

OSS

EFF 。（ ER）的

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

（能源相关）

分钟。典型值。马克斯。单位

7.6

–––

14

22

24

17

810

47

7.3

610

16

5.9

37

–––

20

7.3

7.1

–––

S

nC

条件

V

DS

= 50V ，我

D

= 2.2A

I

D

= 3.6A

V

DS

= 400V

V

GS

= 10V ，参见图14a &14b

V

DD

= 250V

I

D

= 3.6A

R

G

= 17Ω

V

GS

= 10V ，参照图15A & 15B

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的，见图。五

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 400V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V,V

DS

= 0V至400V

f

ns

f

pF

g

雪崩特性

符号

E

AS

I

AR

E

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

d

热阻

符号

R

θJC

R

θCS

R

θJA

注意事项：

典型值。

–––

马克斯。

150

1.8

7.8

单位

mJ

A

mJ

参数

结到外壳

h

典型值。

–––

0.5

–––

马克斯。

1.6

–––

62

单位

° C / W

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

h

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

J

= 25℃时，L = 93mH ，R

G

= 25Ω,

I

AS

= 1.8A 。（参见图13）。

I

SD

=

3.6A ， di / dt的

≤

520A / μs的，V

DD

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C.

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

C

OSS

EFF的。（ER）是一种固定电容，其存储了相同的能量

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

R

θ

测定在T

J

约90℃的

2

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IRFB812PbF

100

顶部

VGS

15V

10V

6.2V

5.9V

5.8V

5.6V

5.5V

5.3V

100

顶部

VGS

15V

10V

6.2V

5.9V

5.8V

5.6V

5.5V

5.3V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

底部

1

5.3V

0.1

5.3V

0.01

0.1

1

≤60μs

脉冲宽度

TJ = 25°C

≤

在60μs脉冲宽度

0.1

TJ = 150℃

1

10

V DS ，漏极至源极电压（ V）

100

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

VDS = 50V

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

3.0

ID = 3.6A

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

4

5

6

7

8

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

TJ ，结温（ ° C）

≤60μs

脉冲宽度

VGS = 10V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

TJ = 150℃

1

TJ = 25°C

0.1

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRFB812PbF

100000

V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

650

ID = 250uA

10000

C，电容（pF ）

1000

西塞

600

100

科斯

CRSS

550

10

1

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

500

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

T J ，温度（° C）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型值。 Breadown电压

与温度的关系

16

ID = 3.6A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

100

VDS = 400V

VDS = 250V

VDS = 100V

12

ISD ，反向漏电流（ A）

10

T J = 150℃

8

4

1

T J = 25°C

0

4

8

12

16

QG总栅极电荷（ NC）

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

VSD ，源极到漏极电压（V ）

4

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IRFB812PbF

RDS （ ON），漏极 - 源极导通电阻（

Ω)

4

3.0

ID ，漏电流（ A）

3

2.5

VGS = 20V

2

2.0

VGS = 10V

1

0

25

50

75

100

125

150

1.5

0

1

2

3

4

5

6

7

ID ，漏电流（ A）

T C ， CaseTemperature （ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图9 。

典型导通电阻比。漏电流

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5