PD - 97782A
StrongIRFET ？
应用
l
l
l
l
l
l
l
l
l
IRFB7430PbF
HEXFET
功率MOSFET
D
G
S
有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电的电路
半桥和全桥拓扑结构
同步整流应用
谐振式电源
OR- ING和冗余电源开关
DC / DC和AC / DC转换
DC / AC逆变器
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
40V
1.0m
1.3m
409A
195A
c
好处
l
l
l
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
充分界定电容和雪崩
SOA
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
LEAD -FREE
G
D
S
TO-220AB
IRFB7430PbF
G
D
S
门
漏
来源
订购信息
基本零件编号
IRFB7430PbF
套餐类型
TO-220
标准包装
形式
管
完整型号
QUANTITY
50
IRFB7430PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
)
6.0
ID = 100A
500
不限按包
400
4.0
ID ，漏电流（ A）
300
T J = 125°C
2.0
200
100
T J = 25°C
0.0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图2 。
最大漏极电流与外壳温度
www.irf.com
1
05/22/12
IRFB7430PbF
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （焊线有限公司）
漏电流脉冲
马克斯。
409
289
195
1524
单位
A
d
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
单脉冲雪崩能量
375
2.5
± 20
-55 + 175
300
10lbf在（ 1.1N M）
W
W / ℃，
V
°C
x
x
雪崩特性
E
AS （限热）
E
AS （测试）
I
AR
E
AR
e
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
d
k
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
d
760
1360
参见图。 14，15， 22a和22b的
mJ
A
mJ
结到外壳
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
j
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.40
–––
62
单位
° C / W
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。
40
–––
–––
–––
2.2
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.014
1.0
1.2
–––
–––
–––
–––
–––
2.1
MAX 。单位
–––
–––
1.3
–––
3.9
1.0
150
100
-100
–––
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1.0毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 100A
V
μA
nA
V
GS
= 6.0V ，我
D
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
g
= 50A
g
d
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。键合线限流是195A 。需要注意的是电流
从可能发生的设备引线加热所产生的局限性
一些导致安装布置。
（参见AN- 1140 ）
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.15mH
R
G
= 50, I
AS
= 100A ，V
GS
=10V.
I
SD
100A ， di / dt的
990A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
, T
J
175°C.
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
R
测定在T
J
约90 °C ..
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.15mH ，R
G
= 50, I
AS
= 100A ，V
GS
=10V.
2
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IRFB7430PbF
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
300
77
98
202
32
105
160
100
14240
2130
1460
2605
2920
MAX 。单位
–––
460
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 100A
I
D
= 100A
V
DS
=20V
V
GS
= 10V
I
D
= 100A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 30A
R
G
= 2.7
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0 MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
g
ns
pF
g
h
i
i
h
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
反向恢复时间
分钟。
–––
典型值。
–––
MAX 。单位
394
d
f
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
MOSFET符号
展示
G
–––
–––
1576
A
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 100A ，V
GS
= 0V
–––
0.86
1.2
V
–––
2.7
–––
V / ns的牛逼
J
= 175 ° C，I
S
= 100A ，V
DS
= 40V
–––
52
–––
NS牛逼
J
= 25°C
V
R
= 34V,
I
F
= 100A
–––
52
–––
T
J
= 125°C
的di / dt = 100A / μs的
–––
97
–––
NC牛逼
J
= 25°C
–––
97
–––
T
J
= 125°C
–––
2.3
–––
A
T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
A
条件
D
g
S
g
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3
IRFB7430PbF
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
4.8V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
4.5V
10
4.5V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
10
0.1
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图3 。
典型的输出特性
1000
图4 。
典型的输出特性
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 100A
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS = 10V
100
T J = 25°C
10
TJ = 175℃
VDS = 25V
60μs
脉冲宽度
1.0
2
3
4
5
6
7
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图5 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图6 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
ID = 100A
VDS = 32V
VDS = 20V
C，电容（pF ）
西塞
10000
科斯
CRSS
1000
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
50
100 150 200 250 300 350 400
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图8 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
4
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IRFB7430PbF
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1msec
100μsec
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 175℃
1000
100
不限按包
10
10msec
10
T J = 25°C
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
DC
0.1
10
100
VDS ，漏toSource电压（V ）
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
图9 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
47
ID = 1.0毫安
46
45
44
43
42
图10 。
最大安全工作区
2.5
VDS = 0V至32V
2.0
能量（ μJ ）
1.5
1.0
0.5
41
40
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
图11 。
漏极至源极击穿电压
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图12 。
典型的C
OSS
储能
6.0
VGS = 5.5V
VGS = 6.0V
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
4.0
2.0
0.0
0
200
400
600
800
1000
1200
ID ，漏电流（ A）
图13 。
典型导通电阻与漏电流
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5
QQ：2880707522 复制
