PD - 97772
IRFB4510PbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
l
LEAD -FREE
G
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
D
100V
10.7m
Ω
13.5m
Ω
62A
G
D
S
TO-220AB
IRFB4510PbF
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
工作结
马克斯。
62
44
250
140
0.95
± 20
3.2
-55 + 175
300
10磅在（ 1.1N M）
130
参见图。 14，15， 22A，22B，
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
c
e
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
x
x
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
d
mJ
A
mJ
f
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境， TO- 220
i
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
1.05
–––
62
单位
° C / W
i
www.irf.com
1
4/10/12
IRFB4510PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.11
10.7
–––
–––
–––
–––
–––
0.6
条件
–––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 5毫安
13.5毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 37A
4.0
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
20
μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
nA的V
GS
= 20V
-100
V
GS
= -20V
–––
Ω
f
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
58
14
18
40
13
32
28
28
3180
220
120
260
325
–––
87
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 37A
I
D
= 37A
V
DS
=50V
V
GS
= 10V
I
D
= 37A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 65V
I
D
= 37A
R
G
=2.7Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的，参见图5
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V ，参见图1
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
f
f
ns
f
pF
g
h
h
g
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
62
A
条件
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
D
MOSFET符号
展示
G
––– ––– 250
一个完整的反
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 37A ，V
GS
= 0V
–––
54
81
NS牛逼
J
= 25°C
V
R
= 85V,
–––
60
90
T
J
= 125°C
I
F
= 37A
的di / dt = 100A / μs的
–––
95
140
NC牛逼
J
= 25°C
––– 130 195
T
J
= 125°C
––– 3.3
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
f
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.192mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 37A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
37A ， di / dt的
≤
1550A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
2
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IRFB4510PbF
1000
顶部
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
4.0V
顶部
100
底部
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
4.0V
10
10
4.0V
1
4.0V
0.1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
100
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
2.5
ID = 37A
VGS = 10V
100
TJ = 175℃
10
2.0
1.5
TJ = 25°C
1
1.0
VDS = 50V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 37A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
12
10
8
6
4
2
0
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
10
1
10
100
0
20
40
60
80
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
IRFB4510PbF
1000
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
100
1msec
10
TJ = 175℃
10
100μsec
TJ = 25°C
1
10msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
VDS ，漏toSource电压（V ）
DC
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
100
VSD ，源极到漏极电压（V ）
70
60
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
125
ID = 5毫安
120
115
110
105
100
95
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ ，温度（° C）
ID ，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
1.2
图10 。
漏极至源极击穿电压
600
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
1.0
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
0.8
ID
顶部
4.7A
12A
BOTTOM 37A
能量（ μJ ）
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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IRFB4510PbF
10
热响应（ ZthJC ） ° C / W
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
0.01
0.001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
100
占空比=单脉冲
0.01
雪崩电流（ A）
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
-Tj
= 150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
10
0.05
0.10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
ΔΤ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
TAV （秒）
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 37A
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
ΔT
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
开始TJ ，结温（ ° C）
图15 。
最大雪崩能量比。温度
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
