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PD - 95884

IRFB4215

HEXFET

功率MOSFET

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

优化SMPS应用

D

V

DSS

= 60V

R

DS （ ON）

= 9.0m

G

S

I

D

= 115A

描述

先进的HEXFET

国际整流器功率MOSFET

利用先进的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

115

81

360

270

1.8

± 20

85

18

4.7

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.24

–––

马克斯。

0.56

–––

40

单位

° C / W

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1

7/7/04

IRFB4215

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

E

AS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

分钟。

60

–––

2.0

61

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

9.0

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 54A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 54A

25

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

170

I

D

= 64A

39

NC V

DS

= 48V

59

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 30V

–––

I

D

= 64A

ns

–––

R

G

= 6.2

–––

V

GS

= 10V ，参照图10

铅之间，

4.5

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

7.5

–––

而中心的模具接触

4080 –––

V

GS

= 0V

840 –––

V

DS

= 25V

180 –––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

1080 ?? 220 ??兆焦耳我

AS

= 90A ，L = 54μH

典型值。

–––

0.066

–––

22

160

77

110

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 115

展示

A

G

整体反转

––– ––– 360

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.2

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 90A ，V

GS

= 0V

––– 78 120

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 64A

––– 250 380

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

起始物为

J

= 25℃时，L = 60μH

最大。结温。（参见图11）

操作之外的额定范围。

R

G

= 25, I

AS

= 85A ，V

GS

= 10V （见图12）

这是限定至T的计算值

J

= 175°C .

这是用相同的测试条件为现有的数据资料进行测试

I

SD

≤

90A ， di / dt的

≤

250A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

基于最大允许计算出的连续电流

T

J

≤

175°C

结温。套餐限制电流为75A 。

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是在破坏设备的典型值，代表

2

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IRFB4215

1000

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

4.5V

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

10

0.1

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.5

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 70A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

T

J

= 175

°

C

100

1.5

T

J

= 25

°

C

10

1.0

0.5

1

4.0

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRFB4215

7000

6000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 64A

V

DS

= 48V

V

DS

= 30V

V

DS

= 12V

16

C，电容（pF ）

5000

4000

3000

2000

西塞

12

8

科斯

1000

0

4

CRSS

1

10

100

0

测试电路

见图13

0

40

80

120

160

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

I

SD

，反向漏电流（ A）

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

T

J

= 175

°

C

10

100

100sec

10

1

T

J

= 25

°

C

1

0.1

0.0

V

GS

= 0 V

0.5

1.0

1.5

2.0

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

100

1000

0.1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFB4215

120

不限按包

100

ID ，漏电流（ A）

V

DS

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

D.U.T.

+

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

TC ，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

D = 0.50

热响应（Z thJC ）

0.1

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

τ

C

τ

2

0.01

τ

J

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.266 0.00036

0.294

0.003748

τ

1

0.001

单脉冲

（热反应）

CI-

τi /日

次I /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.0001

1E-006

1E-005

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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