PD - 96918A
数字音频MOSFET
特点
优化的D类音频关键参数
扩增fi er应用
低R
DSON
为提高效率
低Q
G
和Q
SW
为更好的THD和改进
效率
低Q
RR
更好的总谐波失真和较低的EMI
175 ° C的工作结温
耐用性
可以提供高达每通道150W的到4Ω负载
半桥拓扑结构
G
S
IRFB4212PbF
主要参数
100
72.5
15
8.3
2.2
175
D
V
DS
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ 10V
Q
g
典型值。
Q
sw
典型值。
R
G（ INT ）
典型值。
T
J
最大
V
m:
nC
nC
°C
TO-220AB
描述
这一数字音频MOSFET是专门为D类音频放大器应用设计的。这种MOSFET利用
最新的加工技术，以实现低的导通电阻每硅片面积。此外，栅极电荷，体二极管
反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以提高关键的D类音频放大器的性能
因素，如效率，THD和EMI 。这种MOSFET的附加功能是175 ° C的工作结
温度和重复雪崩能力。这些特性相结合，使该MOSFET的高效率，
坚固和可靠的设备，用于D类音频放大器应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
c
功耗
f
功耗
f
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300
10lbxin （ 1.1Nxm ）
马克斯。
100
±20
18
13
57
60
30
0.4
-55 + 175
单位
V
A
W
W / ℃，
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
f
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
f
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
2.5
–––
62
° C / W
单位
笔记
通过
在第2页
www.irf.com
1
9/16/05
IRFB4212PbF
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
R
G（ INT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
L
D
L
S
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容
内部排水电感
内部源极电感
分钟。
100
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
0.09
58
–––
-13
–––
–––
–––
–––
–––
15
3.3
1.4
6.9
3.4
8.3
2.2
7.7
28
14
3.9
550
66
35
350
4.5
7.5
–––
–––
72.5
5.0
–––
20
250
200
-200
–––
23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
ns
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 13A
V
m
V
毫伏/°C的
A
nA
S
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 50V ，我
D
= 13A
V
DS
= 80V
nC
V
GS
= 10V
I
D
= 13A
参见图。 6和19
V
DD
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 13A
R
G
= 2.5
e
= 1.0MHz的，
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
见图5
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
D
G
S
而中心的模具接触
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
d
典型值。
马克斯。
单位
mJ
A
mJ
–––
25
重复性雪崩能量
g
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
41
69
参见图。 14，15， 17a和17b的
二极管的特性
参数
I
S
@ T
C
= 25 ° C连续源电流
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
TYP 。 MAX 。单位
18
A
57
1.3
62
100
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 13A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 13A
的di / dt = 100A / μs的
e
e
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.32mH ，R
G
= 25, I
AS
= 13A.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
由TJMAX限制。参见图。 14，15， 17A，17B用于重复
雪崩信息
2
www.irf.com
IRFB4212PbF
100
顶部
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
100
顶部
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
10
10
6.0V
6.0V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
100.0
图2 。
典型的输出特性
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 13A
2.5
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 10V
10.0
TJ = 175℃
2.0
1.0
TJ = 25°C
1.5
VDS = 50V
0.1
2
4
6
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
8
10
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
ID = 13A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
16
C，电容（pF ）
1000
西塞
12
科斯
100
8
CRSS
4
10
1
10
100
0
0
5
10
15
20
25
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
www.irf.com
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
3
IRFB4212PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ ）
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
0.5
120
ID = 13A
0.4
100
3.2A
5.7A
底部
13A
顶部
ID
80
0.3
60
0.2
TJ = 125°C
0.1
40
20
0.0
6
8
TJ = 25°C
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
175
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图12 。
导通电阻比。栅极电压
10
图13 。
最大雪崩能量与漏电流
占空比=单脉冲
0.01
雪崩电流（ A）
0.05
1
0.10
允许雪崩电流与
雪崩脉冲宽度， TAV
假设
-Tj
= 25°C ，由于
雪崩损失。注意：在无
本案应TJ被允许
超过TJMAX
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
30
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
25
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 13A
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
开始TJ ，结温（ ° C）
图15 。
最大雪崩能量比。温度
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在一个
温度远远超过的T
JMAX
。这验证了
每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
is
不超标。
下面3.方程基于电路和中所示的波形
图17a ， 17b中。
4. P
D（ AVE ）
每单=平均功耗
雪崩脉冲。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占
雪崩过程中电压上升） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过
T
JMAX
（假定为25 ℃，在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻抗，参见图11）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
www.irf.com
5
PD - 96918A
数字音频MOSFET
特点
优化的D类音频关键参数
扩增fi er应用
低R
DSON
为提高效率
低Q
G
和Q
SW
为更好的THD和改进
效率
低Q
RR
更好的总谐波失真和较低的EMI
175 ° C的工作结温
耐用性
可以提供高达每通道150W的到4Ω负载
半桥拓扑结构
G
S
IRFB4212PbF
主要参数
100
72.5
15
8.3
2.2
175
D
V
DS
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ 10V
Q
g
典型值。
Q
sw
典型值。
R
G（ INT ）
典型值。
T
J
最大
V
m:
nC
nC
°C
TO-220AB
描述
这一数字音频MOSFET是专门为D类音频放大器应用设计的。这种MOSFET利用
最新的加工技术，以实现低的导通电阻每硅片面积。此外，栅极电荷，体二极管
反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以提高关键的D类音频放大器的性能
因素，如效率，THD和EMI 。这种MOSFET的附加功能是175 ° C的工作结
温度和重复雪崩能力。这些特性相结合，使该MOSFET的高效率，
坚固和可靠的设备，用于D类音频放大器应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
c
功耗
f
功耗
f
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300
10lbxin （ 1.1Nxm ）
马克斯。
100
±20
18
13
57
60
30
0.4
-55 + 175
单位
V
A
W
W / ℃，
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
f
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
f
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
2.5
–––
62
° C / W
单位
笔记
通过
在第2页
www.irf.com
1
9/16/05
IRFB4212PbF
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
R
G（ INT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
L
D
L
S
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容
内部排水电感
内部源极电感
分钟。
100
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
0.09
58
–––
-13
–––
–––
–––
–––
–––
15
3.3
1.4
6.9
3.4
8.3
2.2
7.7
28
14
3.9
550
66
35
350
4.5
7.5
–––
–––
72.5
5.0
–––
20
250
200
-200
–––
23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
ns
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 13A
V
m
V
毫伏/°C的
A
nA
S
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 50V ，我
D
= 13A
V
DS
= 80V
nC
V
GS
= 10V
I
D
= 13A
参见图。 6和19
V
DD
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 13A
R
G
= 2.5
e
= 1.0MHz的，
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
见图5
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
D
G
S
而中心的模具接触
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
d
典型值。
马克斯。
单位
mJ
A
mJ
–––
25
重复性雪崩能量
g
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
41
69
参见图。 14，15， 17a和17b的
二极管的特性
参数
I
S
@ T
C
= 25 ° C连续源电流
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
TYP 。 MAX 。单位
18
A
57
1.3
62
100
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 13A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 13A
的di / dt = 100A / μs的
e
e
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.32mH ，R
G
= 25, I
AS
= 13A.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
由TJMAX限制。参见图。 14，15， 17A，17B用于重复
雪崩信息
2
www.irf.com
IRFB4212PbF
100
顶部
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
100
顶部
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
10
10
6.0V
6.0V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
100.0
图2 。
典型的输出特性
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 13A
2.5
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 10V
10.0
TJ = 175℃
2.0
1.0
TJ = 25°C
1.5
VDS = 50V
0.1
2
4
6
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
8
10
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
ID = 13A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
16
C，电容（pF ）
1000
西塞
12
科斯
100
8
CRSS
4
10
1
10
100
0
0
5
10
15
20
25
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
www.irf.com
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
3
IRFB4212PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ ）
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
0.5
120
ID = 13A
0.4
100
3.2A
5.7A
底部
13A
顶部
ID
80
0.3
60
0.2
TJ = 125°C
0.1
40
20
0.0
6
8
TJ = 25°C
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
175
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图12 。
导通电阻比。栅极电压
10
图13 。
最大雪崩能量与漏电流
占空比=单脉冲
0.01
雪崩电流（ A）
0.05
1
0.10
允许雪崩电流与
雪崩脉冲宽度， TAV
假设
-Tj
= 25°C ，由于
雪崩损失。注意：在无
本案应TJ被允许
超过TJMAX
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
30
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
25
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 13A
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
开始TJ ，结温（ ° C）
图15 。
最大雪崩能量比。温度
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在一个
温度远远超过的T
JMAX
。这验证了
每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
is
不超标。
下面3.方程基于电路和中所示的波形
图17a ， 17b中。
4. P
D（ AVE ）
每单=平均功耗
雪崩脉冲。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占
雪崩过程中电压上升） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过
T
JMAX
（假定为25 ℃，在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻抗，参见图11）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
