PD - 97047
IRFB3077PbF
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
在全球最佳R
DS （ ON）
在TO- 220
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
G
S
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
D
75V
2.8m
:
3.3m
:
210A
G
D
S
TO-220AB
IRFB3077PbF
G
D
S
克忒
，D R A IN
S 0 ü RC ê
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
d
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
f
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
210c
150
c
850
370
2.5
± 20
2.5
-55 + 175
300
10lbxin （ 1.1Nxm ）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
e
雪崩电流
c
重复性雪崩能量
g
240
参见图。 14，15， 22A，22B，
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
结到外壳
k
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
jk
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.402
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/24/05
IRFB3077PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏极至源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
75
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.091
2.8
–––
–––
–––
–––
–––
1.2
–––
–––
3.3
4.0
20
250
100
-100
–––
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
门输入电阻
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5mAd
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
g
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
F = 1MHz时，漏极开路
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
160
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
160
37
42
25
87
69
95
9400
820
350
1090
1260
–––
220
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
S
nC
I
D
= 75A
V
DS
= 38V
V
GS
= 10V
g
V
DD
= 38V
I
D
= 75A
R
G
= 2.1
V
GS
= 10V
g
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 75A
C
OSS
EFF 。 （ ER ）的有效输出电容（能源相关） I ---
C
OSS
EFF 。 （ TR ）有效输出电容（时间相关）H
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
j,
参见图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
h,
参见图。五
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
di
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 210c
–––
–––
42
50
59
86
2.5
850
1.3
63
75
89
130
–––
A
nC
V
ns
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
g
V
R
= 64V,
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
I
F
= 75A
的di / dt = 100A / μs的
g
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。套餐限制电流为75A
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.08mH
R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
www.irf.com
IRFB3077PbF
1000
顶部
1000
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
底部
4.5V
100
100
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
2.5
图2 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 75A
2.0
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 10V
100
（归一化）
TJ = 175℃
1.5
10
TJ = 25°C
VDS = 25V
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
1
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
16000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 75A
VDS = 60V
VDS = 38V
VDS = 17V
16
12000
C，电容（pF ）
西塞
8000
12
8
4000
4
科斯
CRSS
0
1
10
100
0
0
40
80
120
160
200
240
280
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
www.irf.com
3
IRFB3077PbF
1000.0
10000
TJ = 175℃
ISD ，反向漏电流（ A）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1000
100sec
100
10msec
100.0
10.0
TJ = 25°C
1.0
10
不限按包
1msec
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1.0
DC
0.1
10.0
100.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压
图8 。
最大安全工作区
100
240
不限按包
200
ID ，漏电流（ A）
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
90
80
70
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
3.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
1000
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
2.5
800
ID
顶部
20A
35A
底部
75A
2.0
能量（ μJ ）
600
1.5
400
1.0
0.5
200
0.0
0
20
40
60
80
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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IRFB3077PbF
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
0.01
τ
J
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.0766 0.000083
0.1743
0.1513
0.000995
0.007038
τ
1
τ
2
0.001
单脉冲
（热反应）
CI-
τi /日
Ci
τi /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
0.01
0.05
10
允许雪崩电流与
雪崩脉冲宽度， TAV
假设
-Tj
= 25°C ，由于
雪崩损失。注意：在无
本案应TJ被允许
超过TJMAX
0.10
1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
300
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 75A
200
100
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
175
0
25
50
75
100
125
150
开始TJ ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
www.irf.com
5
PD - 97047
IRFB3077PbF
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
在全球最佳R
DS （ ON）
在TO- 220
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
G
S
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
D
75V
2.8m
:
3.3m
:
210A
G
D
S
TO-220AB
IRFB3077PbF
G
D
S
克忒
，D R A IN
S 0 ü RC ê
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
d
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
f
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
210c
150
c
850
370
2.5
± 20
2.5
-55 + 175
300
10lbxin （ 1.1Nxm ）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
e
雪崩电流
c
重复性雪崩能量
g
240
参见图。 14，15， 22A，22B，
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
结到外壳
k
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
jk
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.402
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/24/05
IRFB3077PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏极至源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
75
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.091
2.8
–––
–––
–––
–––
–––
1.2
–––
–––
3.3
4.0
20
250
100
-100
–––
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
门输入电阻
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5mAd
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
g
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
F = 1MHz时，漏极开路
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
160
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
160
37
42
25
87
69
95
9400
820
350
1090
1260
–––
220
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
S
nC
I
D
= 75A
V
DS
= 38V
V
GS
= 10V
g
V
DD
= 38V
I
D
= 75A
R
G
= 2.1
V
GS
= 10V
g
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 75A
C
OSS
EFF 。 （ ER ）的有效输出电容（能源相关） I ---
C
OSS
EFF 。 （ TR ）有效输出电容（时间相关）H
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
j,
参见图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
h,
参见图。五
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
di
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 210c
–––
–––
42
50
59
86
2.5
850
1.3
63
75
89
130
–––
A
nC
V
ns
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
g
V
R
= 64V,
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
I
F
= 75A
的di / dt = 100A / μs的
g
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。套餐限制电流为75A
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.08mH
R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
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IRFB3077PbF
1000
顶部
1000
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
底部
4.5V
100
100
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
2.5
图2 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 75A
2.0
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 10V
100
（归一化）
TJ = 175℃
1.5
10
TJ = 25°C
VDS = 25V
1.0
≤
在60μs脉冲宽度
1
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
16000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 75A
VDS = 60V
VDS = 38V
VDS = 17V
16
12000
C，电容（pF ）
西塞
8000
12
8
4000
4
科斯
CRSS
0
1
10
100
0
0
40
80
120
160
200
240
280
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
IRFB3077PbF
1000.0
10000
TJ = 175℃
ISD ，反向漏电流（ A）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1000
100sec
100
10msec
100.0
10.0
TJ = 25°C
1.0
10
不限按包
1msec
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1.0
DC
0.1
10.0
100.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压
图8 。
最大安全工作区
100
240
不限按包
200
ID ，漏电流（ A）
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
90
80
70
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
3.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
1000
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
2.5
800
ID
顶部
20A
35A
底部
75A
2.0
能量（ μJ ）
600
1.5
400
1.0
0.5
200
0.0
0
20
40
60
80
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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IRFB3077PbF
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
0.01
τ
J
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.0766 0.000083
0.1743
0.1513
0.000995
0.007038
τ
1
τ
2
0.001
单脉冲
（热反应）
CI-
τi /日
Ci
τi /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
0.01
0.05
10
允许雪崩电流与
雪崩脉冲宽度， TAV
假设
-Tj
= 25°C ，由于
雪崩损失。注意：在无
本案应TJ被允许
超过TJMAX
0.10
1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
300
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 75A
200
100
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
175
0
25
50
75
100
125
150
开始TJ ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
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5
QQ：2881677436 复制
