PD - 96238
IRFB3006GPbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
G
好处
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
l
LEAD -FREE
l
无卤
D
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
（硅有限公司）
I
D
（包装有限公司）
D
60V
2.1m
:
2.5m
:
270A
195A
c
S
G
D
S
TO-220AB
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （焊线有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
d
f
270
190
195
1080
375
2.5
± 20
10
-55 + 175
300
10磅在（ 1.1N M）
320
参见图。 14，15， 22A，22B，
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
x
x
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
d
e
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
g
mJ
A
mJ
结到外壳
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
j
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.4
–––
62
单位
° C / W
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1
06/29/09
IRFB3006GPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
60
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.07
2.1
–––
–––
–––
–––
–––
2.0
–––
–––
2.5
4.0
20
250
100
-100
–––
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 170A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
μA V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
g
d
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
200
37
60
140
16
182
118
189
8970
1020
534
1480
1920
–––
300
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 170A
I
D
= 170A
V
DS
=30V
V
GS
= 10V
I
D
= 170A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 39V
I
D
= 170A
R
G
= 2.7
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0兆赫，参照图五
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V到48V ，参照图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至48V
280
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
有效的输出电容（能源相关） ---
–––
有效的输出电容（时间相关）
g
ns
pF
g
h
i
h
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
––– 270
–––
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
A
A
d
1080
––– –––
1.3
V
–––
44
–––
ns
–––
48
–––
–––
63
–––
nC
T
J
= 125°C
–––
77
–––
–––
2.4
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 170A ，V
GS
= 0V
V
R
= 51V,
T
J
= 25°C
I
F
= 170A
T
J
= 125°C
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
g
g
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。键合线限流是195A 。需要注意的是电流
从可能发生的设备引线加热所产生的局限性
一些导致安装布置。
（参见AN- 1140 ）
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.022mH
R
G
= 25, I
AS
= 170A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
170A ， di / dt的
≤
1360A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
2
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1000
顶部
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
顶部
底部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
100
10
3.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
0.1
1
10
100
3.5V
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 170A
VGS = 10V
2.0
100
TJ = 175℃
1.5
TJ = 25°C
10
1.0
VDS = 25V
≤
在60μs脉冲宽度
1
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
16000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
16
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 170A
12
VDS = 48V
VDS = 30V
12000
C，电容（pF ）
西塞
8000
8
4000
4
科斯
CRSS
0
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
40
80
120
160
200
240
280
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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1000
10000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
TJ = 175℃
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
ISD ，反向漏电流（ A）
100
1000
100
不限按包
10
TJ = 25°C
1
10
1msec
10msec
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
DC
0.1
100
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压
图8 。
最大安全工作区
80
300
不限按包
250
ID ，漏电流（ A）
ID = 5毫安
75
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
70
65
60
55
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
2.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
1.5
I D
顶部
20A
27A
底部
170A
能量（ μJ ）
1.0
0.5
0.0
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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1
热响应（ ZthJC ）
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
RI（ ° C / W）
0.22547
τι
（秒）
0.006073
τ
1
τ
2
0.175365 0.000343
0.001
CI-
τi /日
C
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
-Tj
= 150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
雪崩电流（ A）
100
0.01
0.05
10
0.10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
Τ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV （秒）
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
400
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
300
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 ％占空比
ID = 170A
200
100
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
175
0
25
50
75
100
125
150
开始TJ ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
