IRFB17N60K ， SiHFB17N60K
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
99
32
47
单身
D
特点
600
0.35
较小的TO- 220封装
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
·不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRFB17N60KPbF
SiHFB17N60K-E3
IRFB17N60K
SiHFB17N60K
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 30
17
11
68
2.7
330
17
34
340
11
- 55至+ 150
300
d
10
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
N
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 2.3 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 17 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
380 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91099
S- 81243 -REV 。 B， 21 -JUL- 08
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1
IRFB17N60K ， SiHFB17N60K
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
58
-
0.37
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
DS
= 480 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至480 V
I
D
= 17 A，V
DS
= 480 V
参见图。 6和13
600
-
3.0
-
-
-
-
5.9
-
600
-
-
-
-
0.35
-
-
-
5.0
± 100
50
250
0.42
-
V
毫伏/°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2700
240
21
2950
67
120
-
-
-
25
82
38
32
-
-
-
-
-
-
99
32
47
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 300 V，I
D
= 17 A,
R
G
= 7.5
Ω,
V
GS
= 10V ，见图。
10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
520
5620
580
6470
17
A
68
1.5
780
8430
870
9700
V
ns
nC
ns
nC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
T
J
= 125 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评级，脉冲宽度有限的最大值。结温。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91099
S- 81243 -REV 。 B， 21 -JUL- 08
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
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S- 81243 -REV 。 B， 21 -JUL- 08
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
A
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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图。 12B - 松开电感的波形
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IRFB17N60K
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
600 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.60 --- V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
––– 0.35 0.42
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
3.0
––– 5.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 50
μA V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
––– ––– 250
μA V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
5.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
25
82
38
32
2700
240
21
2950
67
120
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 10A
99
I
D
= 17A
32
nC
V
DS
= 480V
47
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 300V
–––
I
D
= 17A
ns
–––
R
G
= 7.5
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
17
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
68
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17A ，V
GS
= 0V
––– 520 780
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17A
--- 5620 8430 NC的di / dt = 100A / μs的
––– 580 870
ns
T
J
≤ 125 ° C，I
F
= 17A
6470 --- 9700 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
I
SD
≤
图17A ， di / dt的
≤
380A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
T
J
≤
150°C
起始物为
J
= 25℃时，L = 2.3mH ，R
G
= 25,
I
AS
= 17A,
2
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IRFB17N60K
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
600 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.60 --- V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
––– 0.35 0.42
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
3.0
––– 5.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 50
μA V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
––– ––– 250
μA V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
5.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
25
82
38
32
2700
240
21
2950
67
120
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 10A
99
I
D
= 17A
32
nC
V
DS
= 480V
47
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 300V
–––
I
D
= 17A
ns
–––
R
G
= 7.5
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
17
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
68
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17A ，V
GS
= 0V
––– 520 780
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17A
--- 5620 8430 NC的di / dt = 100A / μs的
––– 580 870
ns
T
J
≤ 125 ° C，I
F
= 17A
6470 --- 9700 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
I
SD
≤
图17A ， di / dt的
≤
380A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
T
J
≤
150°C
起始物为
J
= 25℃时，L = 2.3mH ，R
G
= 25,
I
AS
= 17A,
2
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产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
99
32
47
单身
D
特点
600
0.35
较小的TO- 220封装
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
·不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRFB17N60KPbF
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IRFB17N60K
SiHFB17N60K
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 30
17
11
68
2.7
330
17
34
340
11
- 55至+ 150
300
d
10
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
N
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 2.3 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 17 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
380 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
58
-
0.37
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
DS
= 480 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至480 V
I
D
= 17 A，V
DS
= 480 V
参见图。 6和13
600
-
3.0
-
-
-
-
5.9
-
600
-
-
-
-
0.35
-
-
-
5.0
± 100
50
250
0.42
-
V
毫伏/°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2700
240
21
2950
67
120
-
-
-
25
82
38
32
-
-
-
-
-
-
99
32
47
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 300 V，I
D
= 17 A,
R
G
= 7.5
Ω,
V
GS
= 10V ，见图。
10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
520
5620
580
6470
17
A
68
1.5
780
8430
870
9700
V
ns
nC
ns
nC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
T
J
= 125 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评级，脉冲宽度有限的最大值。结温。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
2
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