IRFB13N50A ， SiHFB13N50A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
81
20
36
单身
D
特点
500
0.450
更低的栅极电荷Q
g
结果简单的驱动器
Reqirements
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
G
开关模式电源（SMPS ）
不间断电源
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
高速电源开关
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRFB13N50APbF
SiHFB13N50A-E3
IRFB13N50A
SiHFB13N50A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
14
9.1
56
2.0
560
14
25
250
9.2
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 5.7 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 14 A，的dV / dt = 7.6 V / ns的（参见图12A） 。
C.我
SD
≤
14 A， di / dt的
≤
250 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91095
S- 81393 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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IRFB13N50A ， SiHFB13N50A
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平， Greasd面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
0.50
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
体二极管的反向恢复电流
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
T
J
= 25 ° C，I
F
= 14 A,
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
b
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.4 A
b
500
-
2.0
-
-
-
-
8.1
-
0.55
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.450
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 50 V，I
D
= 8.4 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
I
D
= 14 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
V
GS
= 10 V
V
DD
= 250 V，I
D
= 14 A,
R
G
= 7.5
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1910
290
11
2730
82
160
-
-
-
15
39
39
31
-
-
-
-
-
-
81
20
36
-
-
-
-
ns
nC
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
-
370
4.4
21
14
A
56
1.5
550
6.5
31
V
ns
C
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
100
10
底部
T
J
= 150 °C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
1
4.5V
T
J
= 25 °C
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25 °C
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
= 50
20μs的脉冲宽度
0.1
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
100
顶部
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
底部
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
3.0
I
D
= 14A
2.5
2.0
4.5V
（归一化）
1.5
1
1.0
0.5
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150 °C
10
100
V
GS
= 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J,
结温（ ° C）
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91095
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100000
10000
V
GS
= 0V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
100
C，电容（pF ）
西塞
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 150 °C
10
科斯
100
T
J
= 25 °C
1
10
CRSS
1
1
10
100
1000
0.1
0.2
0.5
0.8
V
GS
= 0 V
1.1
1.4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
12
1000
I
D
= 14A
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100 V
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
7
10
100μsec
1msec
5
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
10
100
10msec
2
0
0
12
24
36
48
60
0.1
O
G
，总栅极电荷（ NC）
1000
10000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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15
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
12
R
G
10
V
I
D
，漏电流（ A）
9
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
6
V
DS
3
90
%
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
1
图。 10B - 开关时间波形
D = 0.50
热响应（Z
thJC
)
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.001
0.00001
0.001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T.
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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IRFB13N50A
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
500 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.55 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.450
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.4A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 25
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
分钟。
8.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
15
39
39
31
1910
290
11
2730
82
160
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 8.4A
81
I
D
= 14A
20
nC
V
DS
= 400V
36
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 250V
–––
I
D
= 14A
ns
–––
R
G
= 7.5
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
i
RRM
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向RecoveryCurrent
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
14
A
56
––– ––– 1.5
V
––– 370 550
ns
––– 4.4 6.5
C
––– 21
31
A
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14A ，V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C，I
F
= 14A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 5.7mH ，R
G
= 25,
I
AS
= 14A ，的dv / dt = 7.6V / ns的。 （参见图12a ）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS 。
I
SD
≤
图14A中， di / dt的
≤
250A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C.
2
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功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
81
20
36
单身
D
特点
500
0.450
更低的栅极电荷Q
g
结果简单的驱动器
Reqirements
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
G
开关模式电源（SMPS ）
不间断电源
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
高速电源开关
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
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SiHFB13N50A-E3
IRFB13N50A
SiHFB13N50A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
14
9.1
56
2.0
560
14
25
250
9.2
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 5.7 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 14 A，的dV / dt = 7.6 V / ns的（参见图12A） 。
C.我
SD
≤
14 A， di / dt的
≤
250 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平， Greasd面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
0.50
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
体二极管的反向恢复电流
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
T
J
= 25 ° C，I
F
= 14 A,
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
b
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.4 A
b
500
-
2.0
-
-
-
-
8.1
-
0.55
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.450
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 50 V，I
D
= 8.4 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
I
D
= 14 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
V
GS
= 10 V
V
DD
= 250 V，I
D
= 14 A,
R
G
= 7.5
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1910
290
11
2730
82
160
-
-
-
15
39
39
31
-
-
-
-
-
-
81
20
36
-
-
-
-
ns
nC
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
-
370
4.4
21
14
A
56
1.5
550
6.5
31
V
ns
C
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
2
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