半导体
IRFAC40,
IRFAC42
6.2A和5.4A ， 600V ， 1.2和1.6欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关转换
器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高功率
双极开关晶体管需要高速和低
栅极驱动电源。这些类型可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA17426 。
BRAND
IRFAC40
IRFAC42
1998年1月
6.2A和5.4A ， 600V
r
DS （ ON）
= 1.2Ω和1.6Ω
重复额定雪崩能量
简单的驱动要求
易于并联的
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRFAC40
IRFAC42
包
TO-204AA
TO-204AA
符号
D
注：订购时，包括整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 204AA
漏
（法兰）
SOURCE （PIN 2 ）
GATE （引脚1）
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
2156.2
5-1
IRFAC40 ， IRFAC42
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFAC40
漏极至源极击穿电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注3 ） （图15，图16 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
600
600
6.2
3.9
25
±20
125
1.0
570
-55到150
300
260
IRFAC42
600
600
5.4
3.4
22
±20
125
1.0
570
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C
民
600
2.0
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
4.0
25
250
单位
V
V
A
A
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注4 ）
IRFAC40
IRFAC42
门源漏
漏极至源极导通电阻（注2 ）
IRFAC40
IRFAC42
正向跨导（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
I
D（上）
V
DS
＆ GT ;我
D（ ON ）×
r
DS （ ON） MAX
, V
GS
= 10V
6.2
5.4
-
-
-
-
-
±100
A
A
nA
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±20V
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.4A （图8,9 ）
-
-
-
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.2A ，V
DSS
= 0.8×额定
BV
DSS
, I
G（ REF ）
= 1.5毫安（图14 ， 19 ， 20 ）
栅极电荷基本上是独立的
工作温度
V
DS
≥
50V ，我
D
= 3.4A （图12）
V
DD
= 0.5V ×额定BV
DSS
, I
D
≈
6.2A ，R
G
=
9.1, R
L
= 47, V
GS
= 10V （图17,18 ）
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
4.7
-
-
-
-
-
0.97
1.2
70
13
18
55
20
40
1.2
1.6
-
20
27
83
30
60
S
ns
ns
ns
ns
nC
-
-
5.5
20
-
-
nC
nC
5-2
IRFAC40 ， IRFAC42
电气连接特定的阳离子
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
之间测量
在联系上的螺丝
法兰是
接近源和
闸门销与所述
的模具中心
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
测试条件
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的（图11 ）
民
-
典型值
1300
160
30
最大
-
单位
pF
pF
pF
-
5.0
-
nH
内部源极电感
L
S
测量从
来源铅的6mm
（0.25英寸），从
凸缘和源
焊盘
-
13
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
1.0
30
o
C / W
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体反转
P-N结二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
6.2
25
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 6.2A ，V
GS
= 0V时， （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 6.2A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 6.2A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
200
1.8
-
450
3.8
1.5
940
7.9
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 16mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 6.8A 。参见图15，图16 。
5-3
QQ：2881677436 复制
