【PD - 9.1559A初步llllllIRF9956HEXFET功率MOSFET8第五代技术超低导】,IC型号IRF9956,IRF9956 PDF资料,IRF9956经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 9.1559A

初步

l

IRF9956

HEXFET

功率MOSFET

8

第五代技术

超低导通电阻

双N沟道MOSFET

表面贴装

非常低栅极电荷和

开关损耗

全额定雪崩

S1

G1

S2

G2

1

D1

D2

2

7

V

DSS

= 30V

3

6

4

5

R

DS （ ON）

= 0.10

T O服务P V IEW

推荐升级： IRF7303或IRF7313

放低姿态/小当量： IRF7503

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

S 0 -8

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

T

A

= 25°C

T

A

= 70°C

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J,

T

英镑

最大

30

± 20

3.5

2.8

16

1.7

2.0

1.3

44

2.0

0.20

5.0

-55到+ 150

单位

V

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

T

A

= 25°C

最大功率耗散

T

A

= 70°C

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

A

W

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

R

θJA

极限

62.5

单位

° C / W

8/25/97

IRF9956

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

30

–––

1.0

–––

典型值。

–––

0.015

0.06

0.09

–––

12

–––

6.9

1.0

1.8

6.2

8.8

13

3.0

190

120

61

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.10

V

GS

= 10V ，我

D

= 2.2A

0.20

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 1.0A

–––

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 15V ，我

D

= 3.5A

2.0

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

A

25

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

100

V

GS

= 24V

nA

-100

V

GS

= -24V

14

I

D

= 1.8A

2.0

nC

V

DS

= 10V

3.5

V

GS

= 10V ，参照图10

12

V

DD

= 10V

18

I

D

= 1.0A

ns

26

R

G

= 6.0

6.0

R

D

= 10

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 15V

–––

?? = 1.0MHz的，见图。 9

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

1.7

A

16

1.2

53

57

V

ns

nC

––– 0.82

––– 27

––– 28

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 1.25A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 1.25A

的di / dt = 100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

2.0A ， di / dt的

≤

100A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

起始物为

J

= 25℃时，L = 22mH

R

G

= 25, I

AS

= 2.0A.

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

IRF9956

100

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTT OM 3.0V

顶部

100

I D ，德拉在对-S ü RCE铜④此T（A ）

10

I D ，德拉在对-S ü RCE铜④此T（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTT OM 3.0V

顶部

10

3.0V

20微秒P ü LSE W ID

T

J

= 25 °C

A

0.1

1

10

3 .0V

20微秒P ü LSE W ID

T

J

= 15 0°C

A

0.1

1

10

1

V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

V·D S，D雨来-S环境允许的电压（V ）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

I

D

，，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）

I

S.D。

，R ê已经RS E D RA C语言④此T（A ）

10

T

J

= 2 5 °C

T

J

= 1 5 0 °C

T

J

= 1 50°C

T

J

= 25°C

1

3.0

3.5

4.0

4.5

V

S

= 1 0 V

2 0 μ s PU L SE W ID TH

5.0

5.5

6.0

A

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

V

的s

= 0 V

1.2

A

1.4

V

的s

，尕德对S 0 urce V oltage （ V）

V

S.D。

，S环境允许到漏极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

IRF9956

I

D

= 2.2A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

1.5

R

DS

（上），漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）

2.0

0.12

0.10

V

的s

= 4.5V

1.0

0.08

0.5

V

的s

= 10V

0.06

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0.04

0

2

4

6

8

10

12

A

T

J

，结温（

°

C)

I

D

，D雨C-UR租金（A ）

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

图6 。

典型导通电阻比。漏

当前

0.16

100

R

DS

（上），漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）

顶部

0.14

E

A S

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

80

底部

I

D

0.89A

1.6A

2.0A

0.12

0.10

60

0.08

I

D

= 3 .5A

0.06

40

0.04

20

0.02

0.00

0

3

6

9

12

15

A

0

25

50

75

100

125

A

150

V

的s

，G吃-to -S环境允许的V oltage （ V）

开始T，

J

结温（ ° C）

图7 。

典型导通电阻比。门

电压

图8 。

最大雪崩能量

与漏电流

IRF9956

350

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

300

V

GS

C

为s

C

RS s

C

SS

= 0 V,

F = 1M ^ h

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

SH RTE

= C

gd

= C

ds

+ C

克

20

I

D

= 1.8A

V

DS

= 10V

16

C，C的P是C ITA N c个E（ P F）

250

C

为s

C

OS s

200

12

150

8

100

C

RSS

4

50

0

1

10

100

A

0

2

4

6

8

10

V

S

，漏 - 源V oltage （ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图9 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图10 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

热响应（Z

thJA

)

0.50

0.20

10

0.10

0.05

0.02

1

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.01

0.1

1

10

100

0.1

0.00001

0.0001

0.001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境