IRF9952PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
30
-30
1.0
-1.0
典型值。马克斯。
0.015
0.015
0.08 0.10
0.12 0.15
0.165 0.250
0.290 0.400
12
2.4
2.0
-2.0
25
-25
±100
6.9 14
6.1 12
1.0 2.0
1.7 3.4
1.8 3.5
1.1 2.2
6.2 12
9.7 19
8.8 18
14
28
13
26
20
40
3.0 6.0
6.9 14
190
190
120
110
61
54
单位
V
V /°C的
V
S
A
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.2A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 1.0A
V
GS
= -10V ，我
D
= -1.0A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.50A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -2.3A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= ±20V
N沟道
I
D
= 1.8A ，V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
P沟道
I
D
= -2.3A ，V
DS
= -10V, V
GS
= -10V
N沟道
V
DD
= 10V ，我
D
= 1.0A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 10
P沟道
V
DD
= -10V ，我
D
= -1.0A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 10
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -15V ， = 1.0MHz的
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ns
pF
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
1.7
-1.3
A
16
16
0.82 1.2
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.25A ，V
GS
= 0V
V
-0.82 -1.2
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.25A ，V
GS
= 0V
27
53
N沟道
ns
27
54
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.25A ，的di / dt = 100A / μs的
28
57
P沟道
nC
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.25A ，的di / dt = 100A / μs的
31
62
重复评价;脉冲宽度有限的
注意事项：
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
最大。结温。 （参见图23）
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
N沟道我
SD
≤
2.0A ， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
P沟道我
SD
≤
-1.3A ， di / dt的
≤
84A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
N沟道
起始物为
J
= 25 ° C，L = 22mH
G
= 25, I
AS
= 2.0A 。 （参见图12）
P沟道
起始物为
J
= 25 ° C，L = 67mH
G
= 25, I
AS
= -1.3A.
2
www.irf.com
QQ：2880707522 复制
