IRF9610 ， SiHF9610
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
11
7.0
4.0
单身
S
特点
- 200
3.0
动态的dv / dt额定值
P沟道
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
功率MOSFET技术的关键是Vishay的
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
TO-220
G
S
G
D
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF9610PbF
SiHF9610-E3
IRF9610
SiHF9610
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
最大功率耗散
感应电流，钳
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
P
D
I
LM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25
T
C
= 100
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
- 200
± 20
- 1.8
- 1.0
- 7.0
0.16
20
- 7.0
- 5.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
W
A
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（见图5）。
B 。不适用。
C.我
SD
≤
- 1.8 A ， di / dt的
≤
70 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91080
S-挂起-REV 。 A， 20军08
www.vishay.com
1
WORK -IN -PROGRESS
IRF9610 ， SiHF9610
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
6.4
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= -0.90 A
b
A
b
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 0.90
- 200
-
- 2.0
-
-
-
-
0.90
-
- 0.23
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
3.0
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。 10
-
-
-
-
170
50
15
-
-
-
8.0
15
10
8.0
4.5
7.5
-
-
-
11
7.0
4.0
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 3.5 A，V
DS
= - 160 V,
参见图。 11和18
b
-
-
-
V
DD
= - 100 V，I
D
= - 0.90 A,
R
G
= 50
Ω,
R
D
= 11
Ω,
参照图17
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
240
1.7
- 1.8
A
- 7.0
- 5.8
360
2.6
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 1.8 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 1.8 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（见图5）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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文档编号： 91080
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IRF9610 ， SiHF9610
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的饱和特性
图。 2 - 典型的传输特性
图。 4 - 最高安全工作区
图。 5 - 最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
文档编号： 91080
S-挂起-REV 。 A， 20军08
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