IRF9530S ， SiHF9530S
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 100
V
GS
= - 10 V
38
6.8
21
单身
S
特点
0.30
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
=表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
175 ° C的工作温度
快速开关
符合RoHS指令2002/95 / EC
D
2
PAK （ TO-263 ）
G
描述
克
S
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
对D
2
PAK （ TO- 263 ）是一种表面贴装功率封装
可容纳的芯片尺寸最多HEX -4 。它
提供最高的功率容量和最低
可能的导通电阻，在任何现有的表面贴装
封装。对D
2
PAK （ TO-263 ）是适宜于大电流
由于其较低的内部连接的应用程序
性和可耗散高达2.0 W的一种典型的表面
安装应用程序。
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHF9530STRL-GE3
a
IRF9530STRLPbF
a
SiHF9530STL-E3
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHF9530STRR-GE3
a
IRF9530STRRPbF
a
SiHF9530STR-E3
a
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHF9530S-GE3
IRF9530SPbF
SiHF9530S-E3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
- 100
± 20
- 12
- 8.2
- 48
0.59
0.025
400
- 12
8.8
88
3.7
- 5.5
- 55 + 175
300
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
I
AR
雪崩电流
a
E
AR
Repetiitive雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
最大功率耗散（ PCB安装）
T
A
= 25 °C
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 4.2 mH的，R
g
= 25
,
I
AS
= - 12 A（见图12 ）。
C.我
SD
- 12 A， di / dt的
140 A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91077
S11-1051 -REV 。 C， 30日， 11
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
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本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
-
马克斯。
62
40
1.7
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0, I
D
= - 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 μA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 7.2 A
b
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 7.2 A
b
- 100
-
- 2.0
-
-
-
-
3.7
-
- 0.10
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
0.30
-
V
V /°C的
V
nA
μA
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
860
340
93
-
-
-
12
52
31
39
4.5
7.5
-
-
-
38
6.8
21
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 12 A，V
DS
= - 80 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 50 V，I
D
= - 12 A,
R
G
= 12
,
R
D
= 3.9
,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
G
-
S
-
-
-
-
-
120
0.46
- 12
A
- 48
- 6.3
240
0.92
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 12 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 12 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
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2
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
- I
D
，漏电流（ A）
- I
D
，漏电流（ A）
10
1
V
GS
- 15 V
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
底部 - 4.5 V
顶部
- 4.5 V
25
°
C
10
1
175
°
C
10
0
10
-1
91077_01
20 μs的脉冲宽度
T
C
=
25 °C
10
0
10
1
91077_03
10
0
4
5
6
7
20 μs的脉冲宽度
V
DS
= -
50 V
8
9
10
- V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
- V
GS ，
栅极 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
顶部
- I
D
，漏电流（ A）
10
1
底部
V
GS
- 15 V
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
- 4.5 V
- 4.5 V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D
= - 12 A
V
GS
= - 10 V
10
0
10
-1
91077_02
20 μs的脉冲宽度
T
C
=
175 °C
10
0
10
1
0.0
- 60- 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
- V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
91077_04
T
J,
结温（ ° C）
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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1800
1500
- I
SD
，反向漏电流（ A）
电容（pF）
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
国际空间站
10
1
175
°
C
1200
900
600
300
0
10
0
10
1
C
OSS
C
RSS
25
°
C
10
0
10
-1
1.0
91076_07
V
GS
= 0 V
2.0
3.0
4.0
5.0
91077_05
- V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
- V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
20
- V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
= - 12 A
V
DS
= - 80 V
V
DS
= - 50 V
10
3
5
2
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
- I
D
，漏电流（ A）
16
10
2
5
2
10
s
100
s
1
ms
10
ms
T
C
= 25
°C
T
J
= 175
°C
单脉冲
0.1
2
5
12
V
DS
= - 20 V
10
5
2
8
4
测试电路
见图13
1
5
2
0
0
91077_06
0.1
10
20
30
40
50
91077_08
1
2
5
10
2
5
10
2
2
5
10
3
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
- V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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R
D
V
DS
V
GS
R
g
D.U.T.
+
-
- 10 V
V
DD
12
10
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
- I
D
，漏电流（ A）
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
175
图。 10A - 开关时间测试电路
t
D（上）
V
GS
10 %
t
r
t
D（关闭）
t
f
91077_09
T
C
，外壳温度（ ° C）
90 %
V
DS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.占空比，D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
j
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
10
-2
0.1
1
10
0.1
10
-2
10
-5
91077_11
10
-4
10
-3
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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