【PD -91522AIRF9520NS/LHEXFET功率MOSFET先进的工艺技术l表面贴装（ I】,IC型号IRF9520NS,IRF9520NS PDF资料,IRF9520NS经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD -91522A

IRF9520NS/L

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

表面贴装（ IRF9520S ）

通孔低调（ IRF9520L ）

175 ° C工作温度

快速开关

P沟道

全额定雪崩

描述

DSS

= -100V

DS （ ON）

= 0.48

= -6.8A

国际整流器第五代HEXFETs利用

先进的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师有一个非常有效和可靠的装置，用于

在各种各样的应用中使用。

对D

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高

功率能力和尽可能低的导通电阻

任何现有的表面贴装封装。对D

朴适用

为，由于其低的内高电流的应用

连接性和功耗最高2.0W的

典型的表面贴装应用。

通孔版（ IRF9520L ）可用于低

配置文件的应用程序。

D 2白

T O服务-26 2

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-6.8

-4.8

-27

3.8

0.32

± 20

140

-4.0

4.8

-5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

3.1

单位

° C / W

5/13/98

IRF9520NS/L

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

GS （ TH）

栅极阈值电压

正向跨导

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-100

–––

-2.0

1.4

–––

典型值。

–––

-0.10

–––

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA ？

0.48

= 10V ，我

= -4.0A

-4.0

= V

, I

= -250A

–––

= -50V ，我

= -4.0A

-25

= -100V, V

= 0V

-250

= -80V, V

= 0V ，T

= 150°C

100

= 20V

-100

= -20V

= -4.0A

5.0

= -80V

= -10V ，见图。 6和13

–––

= -50V

–––

= -4.0A

–––

= 22

–––

= 12Ω ，见图。 10

铅之间，

7.5 –––

而中心的模具接触

350 –––

= 0V

110 –––

= -25V

70 –––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

源极 - 漏极额定值和特性

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复

收费

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– ––– -6.8

展示

整体反转

––– ––– -27

p-n结二极管。

––– ––– -1.6

= 25 ° C，I

= -4.0A ，V

= 0V

––– 100 150

= 25 ° C，I

= -4.0A

___ 420 630

NC的di / dt = -100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

使用IRF9520N数据和测试条件

起始物为

= 25℃时，L = 18mH

= 25, I

= -4.0A 。（参见图12）

≤

175°C

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

≤

-4.0A ， di / dt的

≤

-300A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

IRF9520NS/L

100

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

BOTTOM -4.5V

顶部

100

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

BOTTOM -4.5V

顶部

-4.5V

20μs的脉冲宽度

= 175

100

-4.5V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

-V

，漏极至源极电压（ V）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性，

图2 。

典型的输出特性，

100

2.5

= -6.7A

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

= 175

2.0

= 25

1.5

1.0

0.5

0.1

V DS = 10V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60 -40 -20 0

= -10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

-V

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRF9520NS/L

800

-V

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= -4.0 A

=-80V

=-50V

=-20V

600

C，电容（pF ）

西塞

400

科斯

CRSS

200

100

测试电路

见图13

-V

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

，反向漏电流（ A）

10us

-I

，漏电流（ A）

= 175

100us

= 25

1ms

10ms

0.1

0.2

= 0 V

0.8

1.4

2.0

2.6

0.1

= 25 ° C

= 175 ° C

单脉冲

100

1000

-V

，源极到漏极电压（V ）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRF9520NS/L

8.0

D.U.T.

-I

，漏电流（ A）

6.0

-10V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

4.0

图10A 。

开关时间测试电路

2.0

10%

D（上）

D（关闭）

0.0

100

125

150

175

90%

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳