IRF9332PbF
100
顶部
VGS
-10V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
-3.0V
-2.7V
-2.5V
100
顶部
VGS
-10V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
-3.0V
-2.7V
-2.5V
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
1
1
0.1
-2.5V
0.01
0.1
1
10
100
-V DS ，漏极至源极电压（ V）
-2.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
-V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
100
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
1.6
ID = -9.8A
1.4
VGS = -10V
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
10
1.2
T J = 150℃
1
T J = 25°C
1.0
0.8
0.1
1
2
3
VDS = -10V
≤60s
脉冲宽度
4
5
6
0.6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
-VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1千赫
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
ID = -7.8A
-VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
VDS = -24V
VDS = -15V
VDS = -6.0V
100
1
10
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
10
20
30
40
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
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3
IRF9332PbF
100
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
10
1msec
1
DC
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
-I SD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 150℃
T J = 25°C
10
0.1
T A = 25°C
10msec
VGS = 0V
1.0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
-V SD ，源极到漏极电压（V ）
0.01
TJ = 150℃
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
1000
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
10
-V GS （ TH） ，栅极阈值电压（ V）
图8 。
最大安全工作区
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
ID = -25μA
8
-I D，漏电流（ A）
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T A ，环境温度（ ° C）
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
100
热响应（Z thJA ）° C / W
图10 。
阈值电压与温度的关系
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
0.1
0.01
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja + T A
1
10
100
0.001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
4
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IRF9332PbF
ID = -9.8A
40
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
)
50
50
40
VGS = -4.5V
30
30
T J = 125°C
20
20
10
T J = 25°C
0
0
5
10
15
20
25
10
VGS = -10V
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-ID ，漏极电流（ A）
图12 。
导通电阻比。栅极电压
500
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
-V GS ，门-to - 源电压（V ）
图13 。
典型导通电阻与漏电流
1000
400
300
单脉冲功率（ W）
ID
顶部
-2.0A
-2.8A
BOTTOM -7.8A
800
600
200
400
100
200
0
25
50
75
100
125
150
开始T J ，结温（ ° C）
0
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
时间（秒）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
图15 。
典型功耗比。时间
D.U.T
*
驱动栅极驱动器
+
P.W.
期
D=
P.W.
期
V
GS
=10V
-
+
电路布局的注意事项
低杂散电感
地平面
低漏感
电流互感器
*
D.U.T.我
SD
波形
反向
恢复
当前
体二极管正向
当前
的di / dt
D.U.T. V
DS
波形
二极管恢复
dv / dt的
-
-
+
R
G
di / dt的由R控制
G
驱动器的类型相同D.U.T.
I
SD
通过占空比控制"D"
D.U.T. - 被测设备
V
DD
V
DD
+
-
重施
电压
体二极管
正向压降
感应器
CURENT
感应器
当前
纹波
≤
5%
I
SD
*
反向D.U.T的极性为P沟道
*
V
GS
= 5V的逻辑电平器件
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图16 。
二极管的反向恢复测试电路
对于P沟道HEXFET
功率MOSFET
5
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