【PD - 97437AIRF9310PbFHEXFET功率MOSFETVDSRDS （ ON） MA】,IC型号IRF9310TRPBF,IRF9310TRPBF PDF资料,IRF9310TRPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 97437A

IRF9310PbF

HEXFET

功率MOSFET

V

DS

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 10V)

-30

4.6

-20

V

m

A

6

*

'

I

D

(@T

A

= 25°C)

SO-8

应用

充电和放电开关，用于笔记本电脑电池的应用

特点和优点

特点

由此产生的利益

低R

DSON

(≤ 4.6m)

业界标准SO8封装

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

订购型号

IRF9310PbF

IRF9310TRPbF

套餐类型

SO8

更低的传导损耗

结果

多厂商兼容性

环境友好

记

标准包装

形式

QUANTITY

管/散装

95

4000

磁带和卷轴

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

-30

± 20

-20

-16

-160

2.5

1.6

0.02

-55到+ 150

单位

V

f

功耗

f

功耗

c

A

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

存储温度范围

笔记

通过

在第2页

www.irf.com

1

03/19/2010

IRF9310PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

-30

–––

-1.3

–––

39

–––

0.020

3.9

5.8

-1.8

-5.8

–––

58

110

17

28

2.8

25

47

65

70

5250

1300

880

–––

4.6

6.8

-2.4

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= -1mA

V

GS

= -10V ，我

D

= -20A

m

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -16A

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= -100A

---毫伏/°C的

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V

-1.0

A

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

-150

-100

100

–––

165

–––

典型值。

–––

pF

nA

S

nC

ns

V

DD

= -15V, V

GS

= -4.5V

I

D

= -1.0A

R

G

= 1.8

参见图。 20A &20b

V

GS

= 0V

V

DS

= -15V

= 1.0MHz的

马克斯。

630

-16

单位

mJ

A

V

GS

= -20V

V

GS

= 20V

V

DS

= -10V ，我

D

= -16A

V

DS

= -15V, V

GS

= -4.5V ，我

D

= - 16A

V

GS

= -10V

V

DS

= -15V

I

D

= -16A

V

h

总栅极电荷

h

导通延迟时间

上升时间

h

栅极 - 漏极电荷

h

栅极电阻

h

栅极 - 源极充电

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

参数

e

雪崩特性

E

AS

I

AR

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

d

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

71

12

-2.5

A

-160

-1.2

107

18

典型值。

–––

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -2.5A ，V

GS

= 0V

的di / dt = 100A / μs的

马克斯。

20

50

G

S

D

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

e

T

J

= 25 ° C，I

F

= -2.5A ，V

DD

= -24V

热阻

参数

R

θJL

R

θJA

结到漏极引线

结到环境

e

f

g

单位

° C / W

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

起始物为

J

= 25℃时，L = 4.9mH ，R

G

= 25, I

AS

= -16A.

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

当安装在1平方英寸的铜板。

R

θ

测定在T

J

大约90 ℃。

对于设计辅助工具而已，不受生产测试。

2

www.irf.com

IRF9310PbF

1000

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

顶部

VGS

-10V

-4.5V

-3.5V

-3.1V

-2.9V

-2.7V

-2.5V

-2.3V

1000

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

顶部

100

10

底部

100

底部

VGS

-10V

-4.5V

-3.5V

-3.1V

-2.9V

-2.7V

-2.5V

-2.3V

1

10

0.1

-2.3V

0.01

0.1

1

10

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

-2.3V

1

0.1

1

10

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

1000

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

图2 。

典型的输出特性

1.6

ID = -20A

VGS = -10V

-I D，漏 - 源电流

(Α)

1.4

100

1.2

T J = 150℃

10

T J = 25°C

VDS = -10V

≤60s

脉冲宽度

1.0

1

2

3

4

5

1.0

0.8

0.6

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

T J ，结温（ ° C）

-V GS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

14.0

ID = -16A

-VGS ，栅 - 源极电压（ V）

12.0

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

VDS = -24V

VDS = -15V

C，电容（pF ）

10000

西塞

科斯

1000

CRSS

100

1

10

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

25

50

75

100

125

150

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图6 。

典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压

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3

IRF9310PbF

1000.00

1000

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

-I SD ，反向漏电流（ A）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100sec

100.00

T J = 150℃

10.00

100

1msec

10

1.00

T J = 25°C

1

T A = 25°C

VGS = 0V

0.10

0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1

-VSD ，源极到漏极电压（V ）

0.1

TJ = 150℃

单脉冲

1

10msec

10

100

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源漏二极管正向电压

20

-V GS （ TH），栅极阈值电压（ V）

图8 。

最大安全工作区

2.5

-I D，漏电流（ A）

15

2.0

10

ID = -100μA

1.5

5

0

25

50

75

100

125

150

T A ，环境温度（ ° C）

1.0

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

环境温度

100

热响应（Z thJA ）° C / W

图10 。

阈值电压与温度的关系

10

1

0.1

0.01

0.001

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja + T A

10

100

1000

0.0001

1E-006

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

4

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RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M

)

ID = -20A

10

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）

12

IRF9310PbF

14

12

10

8

6

VGS = -10V

4

2

0

20

40

60

80

100 120 140 160

-I D，漏电流（ A）

VGS = -4.5V

8

6

TJ = 125°C

4

TJ = 25°C

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

-V GS ，门-to - 源电压（V ）

图12 。

导通电阻比。栅极电压

2700

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

图13 。

典型导通电阻与漏电流

1000

2400

2100

1800

1500

1200

900

600

300

0

25

50

75

单脉冲功率（ W）

ID

顶部

-1.8A

-2.7A

BOTTOM -16A

800

600

400

200

100

125

150

0

1E-5

1E-4

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

开始T J ，结温（ ° C）

时间（秒）

图14 。

最大雪崩能量与漏电流

图16 。

典型功耗比。时间

D.U.T

*

驱动栅极驱动器

+

P.W.

期

D=

P.W.

期

V

GS

=10V

-

+

电路布局的注意事项

低杂散电感

地平面

低漏感

电流互感器

*

D.U.T.我

SD

波形

反向

恢复

当前

体二极管正向

当前

的di / dt

D.U.T. V

DS

波形

二极管恢复

dv / dt的

-

+

R

G

di / dt的由R控制

G

驱动器的类型相同D.U.T.

I

SD

通过占空比控制"D"

D.U.T. - 被测设备

V

DD

V

DD

+

-

重施

电压

体二极管

正向压降

感应器

CURENT

感应器

当前

纹波

≤

5%

I

SD

*

反向D.U.T的极性为P沟道

*

V

GS

= 5V的逻辑电平器件

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图17 。

二极管的反向恢复测试电路

对于P沟道HEXFET

功率MOSFET

5