IRF9150
数据表
1999年2月
网络文件编号
2280.3
-25A ， -100V ， 0.150欧姆， P沟道功率
MOSFET
这种P沟道增强型硅栅功率音响场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA49230 。
特点
-25A ， -100V
r
DS （ ON）
= 0.150
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
符号
D
订购信息
产品型号
IRF9150
包
TO-204AE
BRAND
IRF9150
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。
包装
JEDEC TO- 204AE
漏
（法兰）
SOURCE （PIN 2 ）
GATE （引脚1）
5-20
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRF9150
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRF9150
-100
-100
-25
-18
-100
±20
150
1.2
1300
-25
-55到150
300
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
A
o
C
o
C
漏极至源极击穿电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散（图1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
雪崩电流（重复和非重复性） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
AR
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至T的
J
= 125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
政府飞行服务队
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
之间测得的
联系方式拧上
凸缘即更靠近
源极和栅极引脚和
的模具中心
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从法兰
和源极
焊盘
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
测试条件
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V时， （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V牛逼
C
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V
V
GS
=
±20V
I
D
= -10A ，V
GS
= -10V （图8,9 ）
V
DS
= -10V ，我
D
= -12.5 （图12）
V
DD
= -50V ，我
D
≈
-25A ，R
G
= 6.8, R
L
= 2.0Ω （图 -
URES 17 ， 18 ） MOSFET开关时间是埃森
工作温度tially独立
民
-100
-2
-
-
-25
-
-
4
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.09
10
16
110
65
46
82
14
42
2400
850
400
5.0
最大
-
-4
-25
-250
-
±100
0.150
-
24
160
100
70
120
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
V
GS
= -10V ，我
D
= -25A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
（图14 ， 19 ， 20 ）的栅极电荷本质
工作温度Indpendent
-
-
-
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图11）
-
-
-
-
内部源极电感
L
S
-
13
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
0.83
30
o
C / W
o
C / W
5-21
IRF9150
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET符号
显示积分
反向P- N结
二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
-25
-100
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C，我
SD
= 25A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 25A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 25A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
0.3
0.9
150
0.7
1.5
300
1.5
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 3.2mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 25A参见图15 ， 16 。
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
除非另有规定编
-30
-25
I
D
，漏电流（ A）
-20
-15
-10
-5
0
0
25
50
75
100
T
A
，外壳温度（
o
C)
125
150
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化暂态
热阻抗（
o
C / W ）
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
1
10
P
DM
0.01
10
-5
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
5-22
QQ：2881677436 复制
