PD - 97119
IRF8721PbF
应用
l
同步降压控制MOSFET
用于笔记本电脑处理器转换器
动力
l
控制MOSFET的隔离式DC- DC
在网络系统转换器
好处
l
栅电荷极低
l
低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
l
低栅极阻抗
l
充分界定雪崩电压
和电流
l
20V V
GS
马克斯。门评级
l
LEAD -FREE
描述
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
Qg
30V 8.5米
:
@V
GS
= 10V 8.3nC
A
A
D
D
D
D
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
顶视图
SO-8
该IRF8721PbF采用了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术进入
业界标准的SO - 8封装的IRF8721PbF已经优化了的参数
在同步降压操作，包括RDS（ON）门的关键和充电同时减少传导
灰和开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适合高效率
的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器，用于笔记本和网通
应用程序。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
30
± 20
14
11
110
2.5
1.6
0.02
-55到+ 150
单位
V
c
A
W
W / ℃，
°C
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
热阻
R
θJL
R
θJA
g
结到环境
fg
结到漏极引线
参数
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
9页
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07/30/07
1
IRF8721PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΔΒV
DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.021
6.9
10.6
–––
-6.2
–––
–––
–––
–––
–––
8.3
2.0
1.0
3.2
2.0
4.2
5.0
1.8
8.2
11
8.1
7.0
1040
229
114
–––
–––
8.5
12.5
2.35
–––
1.0
150
100
-100
–––
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
Ω
nC
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 11A
S
nA
V
毫伏/°C的
μA
V
mΩ
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
V
GS
= 4.5V ，我
D
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
e
= 11A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V ，我
D
= 11A
参见图。 16a和16b
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 11A
R
G
= 1.8Ω
参见图。 15A
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
马克斯。
68
11
单位
mJ
A
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
15
3.1
A
112
1.0
21
23
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11A ，V
DD
= 15V
的di / dt = 300A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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