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PD - 96264

IRF8707GPbF

应用

同步降压控制MOSFET

用于笔记本电脑的转换器

处理器电源

控制MOSFET的隔离

网络中的DC- DC转换器

系统

HEXFET

功率MOSFET

DSS

30V

11.9m

= 10V 6.2nC

DS （ ON）

最大

好处

栅电荷极低

非常低R

DS （ ON）

在4.5V V

超低栅极阻抗

充分界定雪崩电压

和电流

20V V

马克斯。门评级

100 ％测试RG

LEAD -FREE

无卤

顶视图

SO-8

描述

该IRF8707GPbF采用了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术进入

业界标准的SO - 8封装。该IRF8707GPbF进行了优化那些参数

在同步降压关键

手术

包括RDS（ON）和栅极电荷减少了导通

和开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC

转换器提供动力的最新一代的笔记本电脑和网通的应用处理器。

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

± 20

9.1

2.5

1.6

0.02

-55到+ 150

单位

功耗

线性降额因子

工作结

存储温度范围

W / ℃，

°C

热阻

参数

θJL

θJA

结到漏极引线

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

单位

° C / W

笔记

通过

9页

www.irf.com

07/10/09

IRF8707GPbF

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

DSS

ΒV

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

政府飞行服务队

gs1

gs2

godr

OSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

1.35

–––

0.022

9.3

14.2

1.80

-5.8

–––

6.2

1.4

0.7

2.2

1.9

2.9

3.7

2.2

6.7

7.9

7.3

4.4

760

170

–––

11.9

17.5

2.35

–––

1.0

条件

= 0V时，我

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

= 1毫安

= 10V ，我

= 11A

= 4.5V ，我

= 8.8A

V V

= V

, I

= 25A

毫伏/°C， V

= V

, I

= 25A

= 24V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V ，T

= 125°C

150

= 20V

100

-100

= -20V

–––

s V

= 15V ，我

= 8.8A

9.3

–––

3.7

–––

典型值。

–––

= 15V

= 4.5V

= 8.8A

参见图。 15 & 16

= 16V, V

= 0V

= 15V, V

= 4.5V

= 8.8A

= 1.8

参见图。 18

= 0V

= 15V

= 1.0MHz的

马克斯。

8.8

单位

雪崩特性

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

3.1

1.0

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 8.8A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 8.8A ，V

= 15V

的di / dt = 300A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

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IRF8707GPbF

100

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

2.3V

100

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

2.3V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

底部

0.1

2.3V

0.01

0.1

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

2.3V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

0.1

100

0.1

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

2.0

ID = 11A

VGS = 10V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

T J = 150℃

1.5

T J = 25°C

1.0

VDS = 15V

≤60s

脉冲宽度

0.1

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

T J ，结温（ ° C）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

5.0

ID = 8.8A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

4.0

C，电容（pF ）

VDS = 24V

VDS = 15V

1000

西塞

3.0

科斯

100

CRSS

2.0

1.0

VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0.0

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

T J = 150℃

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

VSD ，源极到漏极电压（V ）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

1msec

100sec

10msec

T A = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

100

0.1

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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ID ，漏电流（ A）

VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）

2.5

2.2

100

125

150

T A ，环境温度（ ° C）

1.9

ID = 250μA

1.6

ID = 25μA

1.3

1.0

-75 -50 -25

75 100 125 150

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

环境温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

100

热响应（Z thJA ）° C / W

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.1

RI（ ° C / W）

2.2284

7.0956

25.4895

15.1981

τi

（秒）

0.000169

0.013738

0.68725

25.8

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.01

CI-

τi /日

CI-

τi /日

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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