IRF840LCS ， IRF840LCL ， SiHF840LCS ， SiHF840LCL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
39
10
19
单身
D
特点
500
0.85
超低栅极电荷
降低栅极驱动要求
增强型30 V V
GS
等级
减少的C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
极高频操作
额定重复性雪崩
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
这一系列新的低充电功率MOSFET实现
显著降低栅极电荷，然后常规电源
的MOSFET。利用新的LCDMOS （低费用设备
功率MOSFET ）技术，该装置的改进是
实现了无添加的产品成本，从而为降低
栅极驱动要求和系统总储蓄。在
此外，减少开关损耗和提高的效率
是可以实现在各种高频率应用。
几MHz的高电流的频率是可能的用
新的低电荷功率MOSFET 。
这些设备的改进加上成熟的
耐用性和可靠性的表征电源
的MOSFET为设计人员提供了新的功率晶体管
标准用于切换应用程序。
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF840LCSPbF
SiHF840LCS-E3
IRF840LCS
SiHF840LCS
D
2
PAK （ TO-263 ）
-
-
IRF840LCSTRR
a
SiHF840LCST
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF840LCLPbF
SiHF840LCL-E3
IRF840LCL
SiHF840LCL
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
极限
500
± 30
8.0
5.1
28
1.0
510
8.0
13
3.1
125
3.5
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 14 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 8.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
8.0 A ， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRF840LC / SiHF840LC数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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WORK -IN -PROGRESS
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1
IRF840LCS ， IRF840LCL ， SiHF840LCS ， SiHF840LCL
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热电阻额定值
参数
最大结到环境（PCB
安装，稳态）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
1.0
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
c
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 4.8 A
b
500
-
2.0
-
-
-
-
4.0
-
0.63
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.85
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
c
-
-
-
-
1100
170
18
-
-
-
12
25
27
19
-
-
-
39
10
19
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.0 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
B，C
-
-
-
V
DD
= 250 V，I
D
= 8.0 A,
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 30
Ω,
参见图。 10
B，C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
490
3.0
8.0
A
28
2.0
740
4.5
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 8.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 8.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
B，C
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。使用SiHF840LC数据和试验条件。
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2
文档编号： 91068
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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IRF840LCS ， IRF840LCL ， SiHF840LCS ， SiHF840LCL
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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图。 12B - 松开电感的波形
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IRF840LCS/LCL
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
500
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数---
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻---
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
2.0
g
fs
正向跨导
4.0
–––
I
DSS
漏极至源极漏电流
–––
栅 - 源正向漏
–––
I
GSS
栅 - 源反向漏
–––
Q
g
总栅极电荷
–––
Q
gs
栅极 - 源极充电
–––
Q
gd
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
–––
t
D（上）
导通延迟时间
–––
t
r
上升时间
–––
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
–––
t
f
下降时间
–––
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.63
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
25
27
19
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.85
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.8A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 4.8A
25
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
39
I
D
= 8.0A
10
NC V
DS
= 400V
19
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 250V
–––
I
D
= 8.0A
ns
–––
R
G
= 9.1
–––
R
D
= 30Ω ，见图。 10
铅之间，
nH
7.5 –––
而中心的模具接触
1100 –––
V
GS
= 0V
170 –––
pF
V
DS
= 25V
18 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 8.0
展示
A
G
整体反转
28
––– –––
S
p-n结二极管。
––– ––– 2.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 8.0A ，V
GS
= 0V
––– 490 740
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 8.0A
––– 3.0 4.5
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRF840LC数据和测试条件
起始物为
J
= 25℃时，L = 14mH
R
G
= 25, I
AS
= 8.0A 。 （参见图12）
I
SD
≤
8.0A ， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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IRF840LCS/LCL
功率MOSFET
V
DSS -
500V ，R
DS （ ON）
= 0.85欧姆，我
D
= 8.0 A
D
G
符号
S
N沟道
在电气及特征
TJ = 25℃最高。除非另有说明，否则
符号
参数
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
栅极阈值电压
测试条件
V
DS
= 500V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
DS
= 400V
DC
, V
GS
= 0V
DC
TJ = 125℃
V
GS
= +20V
DC
V
GS
= -20V
DC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
价值
民
500
典型值
最大
单位
伏特
A
nA
nA
伏特
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V
DC ，
I
D
= 250A
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1100
170
18
12
27
25
19
-
25
250
100
-100
4.0
0.85
39
10
19
静态漏极至源极导通 - 阻抗R
DS （ ON）
V
GS
= 10V
DC
, I
D
= 4.8A
栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
传输电容
打开延迟时间
关闭延迟时间
上升时间
下降时间
连续源电流
脉冲源电流
正向电压（二极管）
单脉冲雪崩能量
Q
G
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
td
（关闭）
tr
tf
I
S
I
SM
V
SD
E
AS
V
GS
= 0V
DC
, I
S
= 8.0A ， TP = 300μS
V
DD
= 250V
DC
, I
D
= 8.0A ，R
G
= 9.1
R
D
= 31
V
DS
= 25V
DC
, V
GS
= 0V
DC
中，f = 1.0MHz的
I
D
= 8.0A
V
DS
= 400V
DC
,
V
GS
= 10V
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
A
A
V
mj
-
-
-
-
-
-
-
8.0
28
2.0
510
-
-
-
最大额定值
参数
栅极至源极电压
漏极至源极
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功率Dissapation
热阻
（结到环境）
（ TJ = 25℃除非另有说明）
符号条件
V
GS
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
R
号（j -a）的
(T
A
= 25 C)
价值
+/- 30V
500
8.0
28
125
40
单位
伏特
伏特
AMP
AMP
W
C / W
最大工作温度范围（ TJ ） -55 + 150℃
最大存储温度范围（ TSTG ） -55 + 150℃
第1页2
QQ：2880707522 复制
