IRF840A ， SiHF840A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
38
9.0
18
单身
D
特点
500
0.85
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
可用的
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
RoHS指令*
柔顺
耐用性
充分界定电容和雪崩电压
和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
开关模式电源（SMPS ）
不间断电源
高速电源开关
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
G
典型SMPS拓扑
双管正激
半桥
=全桥
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF840APbF
SiHF840A-E3
IRF840A
SiHF840A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
当前
a
T
C
= 25 °C
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
8.0
5.1
32
1.0
510
8.0
13
125
5.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 16 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 8.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
8.0 A ， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91065
S- 81275 -REV 。 A， 16军08
www.vishay.com
1
IRF840A ， SiHF840A
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.0
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 4.8 A
b
500
-
2.0
-
-
-
-
3.7
-
0.58
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.85
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
GS
= 0 V; V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0 V至400 V
c
-
-
-
1018
155
8.0
1490
42
56
-
-
-
pF
-
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 250 V，I
D
= 8 A
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 31
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
11
23
26
19
38
9.0
18
-
-
-
-
ns
nC
-
-
-
-
-
-
-
-
422
2.16
8.0
A
32
2.0
633
3.24
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 8 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 8 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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2
文档编号： 91065
S- 81275 -REV 。 A， 16军08
IRF840A
功率MOSFET
V
DSS -
500V ，R
DS （ ON）
= 0.85欧姆，我
D
= 8.0 A
漏
D
G
N沟道
门
漏
来源
TJ = 25℃最高。除非另有说明，否则
符号
在电气及特征
符号
S
参数
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
栅极阈值电压
测试条件
V
DS
= 500V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
DS
= 400V
DC
, V
GS
= 0V
DC
TJ = 125℃
V
GS
= +30V
DC
V
GS
= -30V
DC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
价值
民
500
典型值
最大
单位
伏特
A
nA
nA
伏特
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V
DC ，
I
D
= 250A
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1018
155
8.0
11
26
23
19
-
25
250
100
-100
4.0
0.85
38
9.0
18
静态漏极至源极导通 - 阻抗R
DS （ ON）
V
GS
= 10V
DC
, I
D
= 4.8A
栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
传输电容
打开延迟时间
关闭延迟时间
上升时间
下降时间
连续源电流
脉冲源电流
正向电压（二极管）
单脉冲雪崩能量
宋衍涛雪崩能量
雪崩电流
Q
G
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
td
（关闭）
tr
tf
I
S
I
SM
V
SD
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
= 0V
DC
, I
S
= 8.0A ， TP = 300μS
V
DD
= 250V
DC
, I
D
= 8.0A ，R
G
= 9.1
R
D
= 31
V
DS
= 25V
DC
, V
GS
= 0V
DC
中，f = 1.0MHz的
I
D
= 8.0A
V
DS
= 400V
DC
,
V
GS
= 10V
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
A
-
-
-
-
-
-
-
32
2.0
510
13
8
-
-
-
A
V
mj
mj
A
最大额定值
参数
栅极至源极电压
漏极至源极
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功率Dissapation
热阻
（结到环境）
（ TJ = 25℃除非另有说明）
符号条件
V
GS
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
R
号（j -a）的
(T
A
= 25 C)
价值
+/- 30V
500
8.0
32
125
62
单位
伏特
伏特
AMP
AMP
W
C / W
最大工作温度范围（ TJ ） -55 + 150℃
最大存储温度范围（ TSTG ） -55 + 150℃
机械尺寸
箱体TO -220 - AB胶
暗淡
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
m
n
p
尺寸
单位为毫米
英寸
民
最大
民
最大
10.29
2.62
6.10
3.54
14.84
13.47
1.15
1.15
3.550
4.20
1.22
2.64
0.48
0.69
10.54
2.87
6.47
3.78
15.24
14.09
1.400
2.54
4.06
4.69
1.32
2.92
0.55
0.93
0.405
0.103
0.240
0.139
0.584
0.530
0.045
0.045
0.140
0.165
0.048
0.104
0.018
0.027
0.415
0.113
0.255
0.149
0.600
0.555
0.055
0.100
0.160
0.185
0.052
0.115
0.022
0.037
d
c
b
a
m
n
4
e
k
h
f
r
j
j
p
q
1 2 3
g
1 - GATE
2 & 4 - 漏
3 - 来源
q
r
QQ：2881677436 复制
