IRF830AS/L
10000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
=
C
国际空间站
=
C
RS s
=
C
OSS
=
0V,
F = 100万赫兹
C
的s
+ C
克
, C
S
SHO RTE
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 5.0A
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
16
C，电容（pF ）
1000
C
国际空间站
12
100
C
OSS
8
10
4
C
RSS
1
1
10
100
1000
A
0
0
4
8
12
测试电路
见图13
16
20
24
V
S
，D RA在对-S环境允许的V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10us
10
100us
10
T
J
= 150
°
C
1ms
1
10ms
1
T
J
= 25
°
C
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
1000
10000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF830AS ， IRF830AL ， SiHF830AS ， SiHF830AL
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功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（最大） （ Ω ）
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
24
6.3
11
单身
D
特点
500
1.40
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
·不间断电源
高速电源开关
G
S
D
G
D
S
典型SMPS拓扑
S
N沟道
MOSFET
双管正激
半桥和全桥
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF830ASPbF
SiHF830AS-E3
IRF830AS
SiHF830AS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF830ASTRLPbF
a
SiHF830ASTL-E3
a
IRF830ASTRL
a
SiHF830ASTL
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF830ALPbF
SiHF830AL-E3
IRF830AL
SiHF830AL
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
500
± 30
5.0
3.2
20
0.59
230
5.0
7.4
3.1
74
5.3
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 18 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.0 A， di / dt的
≤
370 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用SiHF830A数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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1
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热电阻额定值
参数
最大结到环境（PCB
安装，稳态）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
1.7
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
d
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.0 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 3.0 A
d
500
-
2.0
-
-
-
-
2.8
-
0.60
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
± 100
25
250
1.4
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
d
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
C，D
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.0 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
B，D
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
620
93
4.3
886
27
39
-
-
-
10
21
21
15
-
-
-
-
-
-
24
6.3
11
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.0 A,
R
G
= 14
Ω,
R
D
= 49
Ω,
参见图。 10
B，D
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
430
2.0
5.0
A
20
1.5
650
3.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
B，D
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
。使用SiHF830A数据和试验条件。
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
T
J
= 150
°
C
1
T
J
= 25
°
C
1
0.1
4.5V
0.01
0.1
20μs的脉冲
宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
4.0
V
DS = 50V
20μs的脉冲
宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 1 - 典型的输出特性
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
100
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
2.5
I
D
= 5.0A
2.0
10
1.5
1.0
1
4.5V
0.5
0.1
1
10
20μs的脉冲
宽度
T
J
= 150
°
C
100
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
，结温（
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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10000
C，电容（pF ）
1000
C
国际空间站
I
SD
，反向漏电流（ A）
V
GS
=
C
国际空间站
=
C
RS s
=
C
OSS
=
0V,
F = 100万赫兹
C
的s
+ C
克
, C
S
SHO RTE
C
gd
C
ds
+ C
gd
100
10
100
T
J
= 150
°
C
C
OSS
1
10
T
J
= 25
°
C
C
RSS
1
1
10
100
1000
A
0.1
0.2
V
GS
= 0
V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
S
，D RA在对-S环境允许
V
olta GE （ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
I
D
= 5.0A
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
100
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10us
10
100us
16
12
8
I
D
，漏电流（ A）
1ms
1
10ms
4
0
0
4
8
12
测试电路
见图13
16
20
24
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
1000
10000
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
5.0
V
DS
V
GS
D.U.T.
+
-
V
DD
4.0
R
G
I
D
，漏电流（ A）
10
V
3.0
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
2.0
V
DS
1.0
90
%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
( °C)
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
P
DM
0.1
0.05
t
1
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T.
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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